Градиент - концентрация - электрон
Cтраница 3
Мы видим, что напряженность поля Е ( определяется градиентами концентрации электронов и дырок и проводимостью. Для того чтобы поле Е было максимальным, необходимо, чтобы проводимость была минимальной, а градиенты концентрации электронов и дырок были противоположны по направлению. [31]
Мы видим, что напряженность поля Е определяется градиентами концентрации электронов и дырок и проводимостью. Для того чтобы поле Е было максимальным, необходимо, чтобы проводимость была минимальной, а градиенты концентрации электронов и дырок были противоположны по направлению. [32]
Роуз и Браун [4] следующим образом описывают физический механизм стационарного СВЧ-разряда: Электроны получают энергию от приложенного поля ( СВЧ) и теряют ее при упругих и неупругих соударениях. Ионизация молекул служит источником новых электронов, их сток происходит в результате потока электронов на стенки разрядной трубки из-за градиентов концентрации электронов и потенциала пространственного заряда. Для образования свободных радикалов при относительно низких температурах газа необходимо, чтобы электронная температура превышала газовую по крайней мере на порядок. Многие исследователи [6] показали, что отношение этих температур почти линейно зависит от отношения напряженности электрического поля к давлению газа. Таким образом, основная физическая проблема сводится к созданию в сверхвысокочастотном разряде максимально возможной напряженности электрического поля для того, чтобы можно было работать при средних давлениях газа. [33]
Таким образом, электрические токи диффузии электронов и дырок направлены в разные стороны и частично компенсируют друг друга. Мы говорим здесь о частичной компенсации, так как коэффициенты диффузии электронов и дырок различны и даже при выполнении условия электронейтральности и равенстве градиентов концентрации электронов и дырок полная взаимная компенсация этих токов не наступает. [34]
Таким образом, электрические токи диффузии электронов и дырок направлены в разные стороны и частично компенсируют друг друга. Мы говорим здесь о частичной компенсации, так как коэффициенты диффузии электронов и дырок различны и даже при выполнении условия электронейтральности и равенстве градиентов концентрации электронов и дырок полная взаимная компенсация этих токов не наступает. Заметим, что обычно Dn Dp. Предположим, что мы имеет электронный полупроводник в состоянии термодинамического равновесия. [35]
Таким образом, электрические токи диффузии электронов и дырок направлены в разные стороны и частично компенсируют друг друга. Мы говорим здесь о частичной компенсации, так как коэффициенты диффузии электронов и дырок различны и даже при выполнении условия электронейтральности и равенстве градиентов концентрации электронов и дырок полная взаимная компенсация этих токов не наступает. [36]
Распределение электронов в базе, соответствующее этому выражению, представлено на рис. 2.5, а штриховой линией. Реальное распределение п ( х) в соответствии с выражением (2.15) ( сплошная линия на рис. 2.5, а) не является линейным, так как по мере движения от эмиттера к коллектору часть электронов рекомбинирует с дырками. Градиент концентрации электронов вблизи коллектора, пропорциональный плотности тока JKp, оказывается меньше градиента концентрации электронов вблизи эмиттера. [37]
Как показано в начале параграфа, активный слой инжекционного гомолазера пространственно неоднороден. В направлении, перпендикулярном плоскости р-л-перехода, имеется градиент концентрации электронов и дырок. [38]
 |
Эквивалентные правильно разомкнутые электрохимические цепи. [39] |
Электрохимическая цепь является равновесной при условии, что электрохимическое равновесие наблюдается на каждой фазовой границе, а разность потенциалов на концах цепи Е скомпенсирована разностью потенциалов от внешнего источника тока. Разомкнутая электрохимическая цепь оказывается неравновесной, хотя на всех трех ее границах существует равновесие. Это кажущееся противоречие вызвано наличием электронного равновесия металлов с раствором и возникновением градиента концентрации электронов в растворе между двумя электродами. При подключении внешней разности потенциалов этот градиент компенсируется. [40]
Распределение электронов в базе, соответствующее этому выражению, представлено на рис. 2.5, а штриховой линией. Реальное распределение п ( х) в соответствии с выражением (2.15) ( сплошная линия на рис. 2.5, а) не является линейным, так как по мере движения от эмиттера к коллектору часть электронов рекомбинирует с дырками. Градиент концентрации электронов вблизи коллектора, пропорциональный плотности тока JKp, оказывается меньше градиента концентрации электронов вблизи эмиттера. [41]
Такая же картина наблюдается и в р-области: положительный заряд притянутых дырок экранирует отрицательный заряд инжектиро-1 ванных электронов. Поэтому избыточные дырки и электроны, инжектированные соответственно в п - и в р-области, не создают в них нескомпенсированных объемных зарядов, которые своим полем могли бы препятствовать движению неосновных носителей в объем полупроводника. Перемещение этих носителей в глубь полупроводника осуществляется исключительно путем диффузии, скорость которой пропорциональна градиенту концентрации дырок dpjdx в п-облас-ти и градиенту концентрации электронов dnp / dx в р-области. [42]
В металлах имеет место электромагнитный механизм А.в., обусловленный действием на электроны и ионы решетки электромагнитного поля, вызванного смещением ионов под действием акустич. Общим для всех полупроводников механизмом А. Это приводит к появлению действующей на электрон силы, пропорциональной амплитуде волны деформации. Одновременно возникают и действующие со стороны электронов на решетку локальные силы, пропорциональные градиенту концентрации электронов. [43]
Зависимость теплопроводности от температуры более сложна, так как коэффициент теплопроводности является суммой трех составляющих, меняющихся с температурой по разным законам. При низких температурах процесс теплопроводности обусловлен переносом энергии только нейтральными атомами. С ростом температуры эта составляющая коэффициента теплопроводности играет все меньшую роль, так как основная доля тепла переносится электронами. Существенную роль при высоких температурах играет и еще один механизм переноса энергии в направлении уменьшения температуры. Если температура газа изменяется от точки к точке, то изменяется и равновесный состав газа. Это приводит к градиенту концентрации электронов и ионов и их диффузии в сторону понижения температуры, что должно вызвать нарушение локального равновесия. Если плазма тем не менее остается равновесной, то поступающие за счет диффузии электроны и ионы должны рекомби-нировать. [44]
Равновесие соответствует нулевому внешнему напряжению на переходе. Поскольку концентрация электронов в n - области значительно больше, чем в р-области, часть электронов диффундирует из n - области в р-область. При этом в р-области окажутся избыточные электроны, большая часть из которых находится вблизи металлургической границы. Электроны будут рекомбинировать с дырками. Соответственно концентрация дырок будет уменьшаться и обнажатся нескомпенсированные отрицательные заряды акцепторных ионов. С другой стороны, от металлургической границы ( в n - области) из-за ухода электронов обнажатся нескомпенсированные положительные заряды донорных ионов. Аналогичные рассуждения можно провести для дырок, которые диффундируют из р-области в / ьобласть. Вблизи металлургической границы по обе стороны ее образуется слой с пониженной концентрацией подвижных носителей - обедненный слой. Существующие в нем объемные заряды ионов примесей и связанное с ними электрическое поле препятствуют диффузии носителей и обеспечивают состояние равновесия, при котором ток через переход равен нулю, т.е. напряженность внутреннего электрического поля нарастает до тех пор, пока вызванное им дрейфовое движение носителей не уравновесит встречное диффузионное движение, обусловленное градиентами концентрации электронов и дырок. [45]
Страницы: 1 2 3