Испарение - материал
Cтраница 1
Испарение материала при его обработке излучением ЛПМ позволяет применять этот лазер для осаждения тонких пленок на выбранной подложке. Паровой факел из удаляемого ЛПМ материала под низким давлением ( 10 - 6 мм рт. ст.) расширяется и осаждается в виде пленки на подложке мишени. В работе [262] были получены пленки из SbSi, Si и Ge. Атомы, количество которых достигает в факеле 1013 - 1014, создают до одного монослоя за импульс на подложке, находящейся на расстоянии 5 - 10 мм от места испарения. [1]
Испарение материала при нагреве с последующей конденсацией дает частицы в области размеров от 0 1 до 1 мкм. [2]
Испарение материалов широко используется для получения тонких пленок, применяемых в самых различных областях техники. Преимущества электронно-лучевого испарения перед другими методами испарения состоят в следующем. Во-первых, при обычном тигельном нагреве испаряемого вещества температура поверхности и объема одинакова. При электронно-лучевом нагреве высокую температуру имеет только поверхность. Такой метод позволяет получать материалы высокой чистоты, так как почти полностью исключается реакция испаряемого вещества с материалом тигля. При электронно-лучевом испарении возможен и бестигельный процесс. Во-вторых, имеется возможность управлять электронным пучком во времени и в пространстве, что позволяет регулировать поток энергии и скорость испарения. [3]
Испарение материалов в глубоком вакууме ниже 10 - мм рт. ст. Испарение носит избират. [4]
Испарение материалов в глубоком вакууме ниже 10 - 3 мм рт. ст. Испарение носит избират. [5]
Испарение материала осуществляется при довольно высокой температуре, обеспечивающей необходимое давление паров. [6]
Для испарения материалов с высоким давлением паров, в том числе полупроводников, обычно применяют точечные источники испарения и испарители прямоканального типа. На рис. 2.1 показаны три типа таких испарителей. Благодаря узкому выходному отверстию пары находятся внутри испарителя в однородном и равновесном состоянии. Испаритель, применяемый в нашей лаборатории для испарения CdS и аналогичных материалов, представляет собой кварцевый баллон с узким горлом. Отверстие для выхода паров снабжено молибденовой заслонкой конической формы, установленной в верхней части баллона. В баллон загружают спеченный порошок CdS и его нагрев осуществляют с помощью цилиндрического молибденового нагревателя, окруженного тепловым экраном из волокнистого диэлектрического материала и тантала. [7]
Для локального испарения материала необходим высокий градиент температуры, который достигается путем периодического включения электронного луча. [8]
Условия испарения материала электродов и возбуждения спектра, как и с высоковольтным генератором, зависят от величин емкости, индуктивности и сопротивления, включенного последовательно аналитическому промежутку. Эти параметры схемы определяют длительность импульса тока, его мощность при данном режиме работы активизатора. За время каждого цуга материал электродов испаряется в большей мере, чем при конденсированном высоковольтном искровом разряде, из-за большей длительности импульса тока. Конструкция генераторов дает возможность в некоторых пределах изменять указанные параметры схемы и выбирать условия анализа применительно к исследуемому материалу и определяемым элементам. [9]
Процесс испарения материала нити у электронных ламп менее заметен, чем у осветительных, потому что нити накала электронных ламп работают при меньших температурах. Но сам механизм перегорания у них такой же: наиболее интенсивное испарение металла нити происходят там, аде о а особенно тонка. Лампы прямого накала чаще перегорают, чем подогревные, потому что в ла мпах прямого накала нити обычно тоньше и, раме того, условия их охлаждения значительно хуже. Соприко - снование нити накала подогревных ламп с фарфором или сделанным из другого материала изолятором, отделяющим нить акала от катода, способствует хорошей теплоотдаче. [10]
Процесс испарения материала нити у электронных ламп менее заметен, чем у осветительных, потому что нити накала электронных ламп работают при меньших температурах. [11]
Условия испарения материала электродов и возбуждения спектра, как и с высоковольтным генератором, зависят от величин емкости, индуктивности и сопротивления, включенного последовательно аналитическому промежутку. Эти параметры схемы определяют длительность импульса тока, его мощность при данном режиме работы активизатора. За время каждого цуга материал электродов испаряется в большей мере, чем при конденсированном высоковольтном искровом разряде, из-за большей длительности импульса тока. Конструкция генераторов дает возможность в некоторых пределах изменять указанные параметры схемы и выбирать условия анализа применительно к исследуемому материалу и определяемым элементам. [12]
При испарении материалов с плохими адгезионными свойствами рекомендуется на подогреватели наматывать вспомогательную спираль ( рис. 3 - 53 д и е), витки которой препятствуют стеканию расплавленного металла, и тем самым обеспечивается устойчивый процесс испарения. [13]
При испарении материалов при более высоких температурах используются тигли из графита. Недостатком графитовых тиглей является также их способность легко поглощать газы, что осложняет их технологическую обработку в вакууме. [14]
 |
Фотография кратера, обра. [15] |
Страницы: 1 2 3 4