Испарение - материал
Cтраница 3
 |
Установка для напыления в вакууме. [31] |
В области образования паров происходит испарение материала. Молекулы, обладающие наибольшей кинетической энергией, преодолевают силы молекулярного притяжения и отрываются от поверхности расплава. Скорость испарения зависит от давления паров испаряемого вещества и остаточных газов. Она определяется числом частиц, покидающих в единицу времени поверхность испаряемого вещества. Чтобы траектории молекул испаряемого вещества были прямолинейными, длина свободного пробега молекул остаточного газа должна в 5 - 10 раз превышать линейные размеры области переноса паров. [32]
 |
Схема получения коллоидных растворов металлов электрическим методом Бредига.| Схема диализатора Грэма. [33] |
Под воздействием высокой температуры происходит испарение материала электродов в дисперсионной водной среде. [34]
 |
Схема диализатора Грэма.| Схема электродиализатора. [35] |
Под воздействием высокой температуры происходит испарение материала электродов в дисперсионной водной среде. Затем пары металла конденсируются в коллоидные частицы, образуя соответствующий золь. [36]
В трубках с автоэлектронной эмиссией любое испарение материала анода нежелательно, так как вместо чистой авгоэлектрон-ной эмиссии может начаться плазменный разряд и внутреннее сопротивление трубки не будет оставаться постоянным Поэтому в рассматриваемом случае нагрузки на анод должны быть меньше ( 10 - 20 вт сек / см2), вследствие чего при одинаковой общей энергии размеры фокуса увеличатся. [37]
Процесс вакуумной металлизации заключается в испарении материала покрытия в глубоком вакууме и последующей конденсации его на поверхностях покрываемых изделий. [38]
Количество тепла, поглощаемого при испарении материала контакта, весьма мало по сравнению с количеством тепла, поступающим из дуги. [39]
Объяснение этого явления заключается в неравномерном испарении материала катода из-за непостоянства температуры вдоль его длины. [40]
 |
Схема прямого электронно-лучевого испарения из одного источника. [41] |
Плосколучевые пушки используются в установках для испарения материалов, созданных фирмой Аирко Темескал ( США) и ИЭС им. [42]
Плосколучевые электронные пушки для плавки и испарения материалов / Рафинирующие переплавы. [43]
К, достаточная для плавления и испарения материала. [44]
Достаточно благоприятные условия для диффузии ( испарения материала) возникают при давлениях насыщенного пара ps не более 1 мм рт. ст. и давлении окружающего газа р0 не более 10 - 3 мм рт. ст., когда пар имеет возможность свободно и равномерно распределиться по объему замкнутого пространства. [45]
Страницы: 1 2 3 4