Испарение - материал
Cтраница 2
Следовательно, испарение материала происходит с больше. Таким образом, размер кратера определяется в основном величиной энергии. При соответствующем уменьшении энергии диаметр кратера может стать равным диаметру фокального пятна. [16]
Массовая скорость испарения пггф материала в режиме кипения определяется скоростью поступления тепла из зоны горения, которая пропорциональна разности температур горения Тг и кипения Тк. Поскольку Тт в рассматриваемой области давлений почти не изменяется, а Тк увеличивается с увеличением давления, то разность Тг-Тк уменьшается с ростом давления и вместе с этим уменьшается скорость газификации ( испарения) металла тгф а ( Тг-ТК) / ЬИСЯ. Таким образом, при увеличении давления происходит приближение зоны горения к поверхности металла и парофазное горение может прекратиться. Следовательно, при горении алюминия существует область давлений, в которой механизм горения алюминия контролируется скоростью его испарения, и в этой области происходит постепенный переход от парофазного горения при наличии кипения к горению в отсутствие кипения, при котором могут преобладать реакции на поверхности металла. [17]
 |
Схема горения материала с образованием летучих оксидов.| Схема горения материалов с образованием конденсированных растворимых оксидов. [18] |
Массовая скорость испарения отгф материала в режиме кипения определяется скоростью поступления тепла из зоны горения, которая пропорциональна разности температур горения Тт и ки-ления Тк. Следовательно, при горении алюминия существует область давлений, в которой механизм горения алюминия контролируется скоростью его испарения, и в этой области происходит постепенный переход от паро-фазного горения при наличии кипения к горению в отсутствие кипения, при котором могут преобладать реакции на поверхности металла. [19]
Одновременно с испарением материала катода происходит пополнение массы катода за счет нейтрализации на катоде положительных ионов. [20]
Однако при испарении материалов концентрированным объемным тепловым источником существуют свои специфические неустойчивости. [21]
Непосредственно в СВВ-камере испарение материала с последующим осаждением его на подходящую подложку можно использовать для приготовления тонких пленок поликристаллического или монокристаллического типа, чистые поверхности которых могут стать объектами дальнейших исследований. [22]
На нагрев и испарение материала катЬда затрачивается энергия ( работа выхода), которая приблизительно в 2 - 3 раза меньше работы первичной ионизации материала. А так как электроны намного подвижнее ионов, то последних в прикатодной области оказывается больше, чем электронов, они образуют у катода объемный положительный заряд, который и вызывает прикатодный скачок потенциала. Аналогичная картина имеет место и в прианодной области. [23]
Парофазная технология - испарение материала в глубоком вакууме и конденсации паров на поверхности детали в виде пленки, позволяет получать слоистые структуры с заданными свойствами. [24]
Температура плавления и испарения материала контактов должна быть возможно более высокой, так как это позволяет существенно снизить эрозию контактов и склонность их к свариванию. Кроме того, с повышением температур плавления и испарения уменьшается выброс паров контактного материала в межконтактный промежуток, вследствие чего повышается эквивалентный потенциал ионизации газоразрядной среды и улучшаются условия гашения дуги и восстановления электрической прочности. Следует также учесть работу выхода электронов контактного материала, так как с ее увеличением снижается интенсивность эмиссии электронов с поверхности контактов. [25]
При высоких температурах происходит испарение материала нагревателей из хромита лантана, что проявляется в окрашивании изделий и футеровки. Это необходимо учитывать при применении печей с нагревателями из хромита лантана для термообработки чистых материалов. [26]
 |
Зависимости упругости паров урана от температуры. Измерения проводились. [27] |
Одним из существенных недостатков испарения материалов электронным лучом для АВЛИС-процесса является ионизация и возбуждение испаренных атомов быстрыми электронами. Это обстоятельство, к сожалению, делает практически невозможным достижение высокой селективности при электронно-лучевом испарении. [28]
 |
Схема установки для нанесения пленок методом катодного распыления. [29] |
Сущность метода заключается в испарении материала покрытия за счет нагревания в вакууме. Испаряющийся материал конденсируется на холодных частях системы, в том числе и на покрываемых образцах. Применение глубокого вакуума - 1 33 - 10 - 3 - 1 33 - 10 - Па ( Ю-5-10 - мм рт. ст.) позволяет получать химически чистые пленки. [30]
Страницы: 1 2 3 4