Диффузия - атом - примесь
Cтраница 1
 |
Схема выращивания термического окисла. [1] |
Диффузия атомов примесей проводится для формирования р-п переходов и создания участков материала полупроводника с высокой электропроводностью. [2]
При диффузии атомов примеси в кремний атомы примеси, занимающие некоторый узел решетки, движутся путем обмена местами с соседними вакансиями ( незанятыми узлами кристаллической решетки), тогда как атомы примеси, внедренные в междуузлие, перемещаются по междуузлиям, не занимая узлов кристаллической решетки. В первом случае может иметь место автодиффузия самого Si. Или же возможна ситуация, когда междуузельный атом примеси замещает атом Si в одном из узлов кристаллической решетки, в то время как вытесненный атом Si начинает движение по междуузлиям. Атомы примесей III и IV групп диффундируют, перемещаясь по вакансиям, а I и VIII групп - по междуузлиям. Для физического объяснения механизма диффузии необходима модель, учитывающая взаимодей-ствие атомов примеси и вакансий. [3]
 |
Внешний вид ( а и габаритный чертеж ( б кремниевого вентиля ВКВ2 - 350, 500. [4] |
Глубину диффузии атомов примесей ограничивают для того, чтобы между р - и n - слоями остался нетронутым исходный слой кремния. Увеличение толщины p - n - перехода ослабляет напряженность поля в переходе и дает возможность при тех же уровнях обратного тока значительно повысить величину допустимого обратного напряжения на вентиле. [5]
 |
Схема установки для проведения диффузии в токе газа. [6] |
Этот способ для диффузии атомов примеси в германии неприменим, так как германий в присутствии даже незначительного количества воздуха при температуре диффузии порядка 900 С очень сильно окисляется. Для диффузии атомов примеси в германий применяют другой способ. [7]
 |
Кривые деформации меди при сжатии со скоростью 100 мм / мин и температурах 500 ( /, 550 ( 2, 650 ( 3, 700 ( 4 и 850 С ( 5 и ( С. И. Губкин. [8] |
В этом случае скорость диффузии атомов примеси настолько велика, что они свободно перемещаются по всей решетке, не взаимодействуя с дислокациями. С увеличением скорости деформации максимум смещается в область более высоких температур ( см. рис. 250) и степеней деформации. При высоких скоростях деформации времени для диффузии атомов примеси недостаточно и максимум пропадает; кривая становится монотонно возрастающей. Максимум на диаграмме а - s исчезает при значительном содержании легирующих добавок. [9]
Кроме того, окисная пленка в этом процессе становится локальным источником, из которого осуществляется диффузия атомов примеси в кремний. [10]
Здесь Q - количество введенных на стадии загонки атомов примеси, отнесенное к единице поверхности; DZ - коэффициент диффузии атомов примеси на стадии разгонки; / - длительность разгонки. [11]
 |
Построение примесного профиля атомов фосфора, диффундирующих из неограниченного источника при поверхностной концентрации, близкой к пределу растворимости фосфора ч кремнии. [12] |
Если поверхностная концентрация атомов примеси ( например, фосфора), диффундирующих при Т 1100 С, составляет 1ЗХ ХЮ21 см-3 ( рис. 1.5), то в области изменения концентраций от 1021 до 4 - Ю19 см-3 характер примесного профиля должен определяться в основном механизмом диффузии неионизированных атомов примеси, так как их концентрация в этой области является преобладающей. [13]
 |
Схема установки для проведения диффузии в токе газа. [14] |
Этот способ для диффузии атомов примеси в германии неприменим, так как германий в присутствии даже незначительного количества воздуха при температуре диффузии порядка 900 С очень сильно окисляется. Для диффузии атомов примеси в германий применяют другой способ. [15]
Страницы: 1 2 3