Диффузия - атом - примесь
Cтраница 3
 |
Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [31] |
Другую разновидность распространенных в настоящее время транзисторов образуют приборы, изготавливаемые путем комбинирования методов диффузионного введения примесей и вплавления. Методы изготовления таких транзисторов весьма разнообразны. Область базы создается в поверхностном слое пластинки ( 4 на рис. 5 - 14, в) за счет диффузии атомов примеси с противоположным типом проводимости из газообразной среды при повышенной температуре. [32]
В настоящее время этот механизм считается общепринятым для большинства металлов и сплавов с плотноупакованной решеткой, образующих твердые растворы замещения. Для небольшого числа случаев ( сравнительно открытых решеток) обсуждается возможность циклического механизма. Диффузия атомов примеси в твердых растворах внедрения, по-видимому, протекает по межузельному механизму. [33]
Наиболее жесткие требования предъявляются к пассивной пленке при локальной диффузии примесей, когда пленка выполняет роль защитной маски. В условиях длительного высокотемпературного нагрева толщина пленки должна быть достаточно большой, чтобы предотвратить проникновение легирующей примеси к поверхности кремния. Для пленки SiO2, например, при диффузии бора достаточна толщина 0 4 мкм, при диффузии фосфора - 1 мкм. При повышенном содержании в пленке пор диффузия атомов примеси облегчается, поэтому толщина пленки должна быть увеличена. [34]
Но теория предсказывает возможность взаимодействия и другого характера, когда граница при достаточно больших скоростях и температурах резко отрывается от адсорбированной примеси. При дальнейшем ее движении концентрация примеси на границе равна объемной. Основная идея ее состоит в том, что граница увлекает за собой облако адсорбированной примеси, диффундирующей через кристалл и вследствие этого тормозящей движение границы. Движение границы с адсорбированной примесью лимитируется диффузией атомов примеси. [35]
Страницы: 1 2 3