Диффузия - атом - примесь
Cтраница 2
Процессы диффузии атомов в твердых телах могут зависеть от присутствия следов примесей. Очевидно, исследование диффузии атомов примеси, находящихся в междоузлиях и кристаллической решетке, является специальной аналитической проблемой, часто связанной с низкими концентрациями примесей. Менее очевидно, что примеси могут также влиять на процессы диффузии. [16]
Рассмотрим способы, которые применяются для перемешивания расплава в зоне. Перемешивание, облегчая диффузию атомов примеси от фронта кристаллизации в глубь расплава, тек самым значительно повышает эффективность очистки. [17]
Четвертый ( диффузионный) метод получения р-л-пере-хода имеет два варианта. По одному из них диффузия атомов нужной примеси достигается путем воздействия высокой температуры на пластинку материала с напыленным слоем примеси. По второму варианту происходит диффузия атомов примеси из их газовой фазы. [18]
В присутствии атомов примесей может существовать такая частота колебания, выше которой дислокация освобождается от своей атмосферы. Эта частота обычно соответствует скорости диффузии атомов примесей во время испытаний. [19]
Чтобы оторвать дислокации от скоплений, необходимо приложить большее мех. Деформационное старение является результатом восстановления скоплений путем диффузии атомов примесей. Кроме малоуглеродистой стали, резкий предел текучести наблюдается в поликристаллах молибдена, содержащих азот, а также в монокристаллах германия, цинка, кадмия и бета-латуни с примесями. У большей части материалов не удается зафиксировать величину напряжения, при к-ром начинается пластическое деформирование, и тогда определяют условный предел текучести. Пластичность зависит от структуры и природы межатомной связи. Так, у аморфных материалов при относительно низких т-рах она наименьшая. Среди материалов с кристаллической структурой пластичность растет с переходом от кова-лентной связи к металлической ( напр. Металлы с гексагональной плотно-упакованной решеткой занимают промежуточное положение. [20]
Изменение электрофизических свойств локальных областей полупроводника ( типа электропроводности, удельного сопротивления, диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда) достигается путем легирования, или контролируемого введения примесных атомов. В технологии изготовления полупроводниковых ИМС для легирования кремния обычно применяют два метода - диффузию атомов примесей и внедрение ускоренных ионов. [21]
Предложена также модификация этой модели [105, 120], в соответствии с котррой углерод в результате снижения его растворимости выделяется в процессе охлаждения после высокого отпуска или при более низком охрупчивающем отпуске в виде карбидов на границах зерен, что вызывает образование участков с повышенной концентрацией никеля в приграничных областях вследствие малой его растворимости в карбидах и вытеснения из тех областей, в которых происходит образование карбидов. Предполагается, что градиент концентрации никеля в приграничных зонах приводит к градиенту химического потенциала примесей типа Р, Sb, что вызывает диффузию атомов примесей из объемов зерен к границам. Этот эффект может ускорять равновесную сегрегацию примесей, поэтому авторы работы [120] считают, что кинетика отпускной хрупкости в течение некоторого времени, пока имеется неоднородность процессов карбидообразования, может контролироваться ростом карбидов на границах зерен. Результаты измерений показали, что после охрупчивающей обработки ( изотермические выдержки продолжительностью до 120 ч при температуре 500 С) концентрация фосфора на межфазной поверхности карбид - матрица достигала 4 - 5 %, в то время как при исследовании неохрупченных образцов фосфор на таких границах не был обнаружен. [22]
Этот взгляд на сущность действия носителя, развитый в работе [129], находит подкрепление в интересном исследовании Я. Д. Райхбаума [132], посвященном выяснению причин влияния состава проб на интенсивность спектральных линий. Рассматривая влияние диффузии на величину концентрации атомов в плазме разряда, Я. Д. Райхбаум устанавливает, что поступление большого количества паров металла должно снижать скорость диффузии атомов примесей из зоны разряда. Следует учесть также, что обычно применяемые носители ( Ga, In, не говоря уже о щелочных металлах) снижают температуру разряда, что должно несколько уменьшать скорость диффузии и конвекционного переноса и, соответственно, приводить к увеличению концентрации атомов примесей в разряде. [23]
Четвертый ( диффузионный) метод получения р-л-пере-хода имеет два варианта. По одному из них диффузия атомов нужной примеси достигается путем воздействия высокой температуры на пластинку материала с напыленным слоем примеси. По второму варианту происходит диффузия атомов примеси из их газовой фазы. [24]
 |
Схемы механизма диффузии. [25] |
При диффузии по межузельному механизму образовавшиеся при диссоциации атомы диффундирующего элемента адсорбируются поверхностью насыщаемого металла, располагаясь в меж-узлиях. Диффузия адсорбированных атомов происходит также по межузлиям. Межузельный механизм диффузии характерен для диффузии атомов примесей в твердых растворах внедрения. Размеры атомов углерода значительно меньше размеров атомов железа и поэтому могут достаточно легко и быстро перемещаться по межузлиям, и в данном случае процесс диффузии не зависит от вакансий. [26]
В этом случае скорость диффузии атомов примеси настолько велика, что они свободно перемещаются по всей решетке, не взаимодействуя с дислокациями. С увеличением скорости деформации максимум смещается в область более высоких температур ( см. рис. 250) и степеней деформации. При высоких скоростях деформации времени для диффузии атомов примеси недостаточно и максимум пропадает; кривая становится монотонно возрастающей. Максимум на диаграмме а - s исчезает при значительном содержании легирующих добавок. [27]
Переход между областями полупроводника с электропроводностью р - и n - типа называют электронно-дырочным или р-п-переходом. Чаще всего эти области создают в монокристалле полупроводника, используя различные технологические методы, например легирование части исходного кристалла n - типа акцепторными примесями. Легирование ( контролируемое введение примесей) проводят путем диффузии атомов примесей из внешней среды при высокой температуре, ионным внедрением при бомбардировке кристалла пучком ионов примесей, ускоренных в электрическом поле, или вплавлением в полупроводник металла ( сплава), содержащего нужные примеси. Для создания р - / г-переходов применяют также эпитаксию - наращивание на поверхность кристалла - подложки тонкой пленки полупроводника с противоположным типом проводимости, причем эта пленка образует единый монокристалл с подложкой. [28]
 |
Влияние боковой диффузии на распределение атомов примеси края маски при диффузии из неограниченного ( а и ограниченного ( б. [29] |
Скрытый п - слой располагается под базовой областью транзистора и в принципе может простираться до площади непосредственно под коллекторным контактом. Фактическое расстояние между изолирующей стенкой / 7-типа и внутренними элементами транзисторной структуры сильно зависят от диффузии в боковых направлениях. При проектировании транзистора полупроводниковой ИМС следует особо учитывать, что длительность процесса изолирующей диффузии намного превышает длительность диффузии атомов примеси, в процессе которой формируется базовая область. Поэтому влияние диффузии в боковых направлениях при формировании изолированных областей и последующих процессах высокотемпературной обработки является очень существенным. Оптимальным считается такое расположение изолирующей стенки р-типа и внутренних элементов транзисторной структуры, при котором расстояние между ними составляет не менее удвоенной глубины эмиттерного перехода. [30]
Страницы: 1 2 3