Длинноволновая граница
Cтраница 1
 |
Ширина запрещенной зоны Е сродство к электрону х и порог фотоэмиссии / ь. [1] |
Длинноволновая граница таких фотокатодов определяется шириной запрещенной зоны узкозонного полупроводника ( InGaAs), в котором происходит поглощение света. Сильное электрическое поле переводит фотоэлектроны из InGaAs в верхний слой InP и увеличивает их энергию до значения, превышающего уровень вакуума. Фотокатоды такого типа обладают чувствительностью в области А, до 1 7 мкм. В табл. 25.16, 25.17 и на рис. 25.14 - 25.26 приведены характеристики наиболее распространенных фотокатодов. [2]
Длинноволновая граница Х0 собств, фотопроводимости определяется миним. [4]
 |
Спектральное распределение фототока для двух образцов фотодиодов. [5] |
Длинноволновая граница соответствует краю собственного поглощения. [6]
 |
Спектральные характеристики германиевого ( и кремниевого ( 2 фотодиодов. [7] |
Длинноволновая граница фоточувствительности определяется значением Eg, а спад в коротковолновой области спектра объясняется тем, что коэффициент поглощения растет и большая часть излучения поглощается в приповерхностном слое базы, где тЭф мало и меньшая часть генерированных светом носителей доходит до р - n - перехода. Следовательно, положение коротковолновой границы фоточувствительности зависит от ширины базы и скорости поверхностной рекомбинации. [8]
 |
Схема установки Вернейля для бестигельного выращивания кристаллов тугоплавких веществ. [9] |
Длинноволновая граница собственного поглощения 1п2О3 лежит около 0 35 мк, что соответствует 3 54 эв. [10]
Длинноволновая граница примесной проводимости в соответствии с примесным поглощением сдвинута в сторону больших длин волн относительно собственной фотопроводимости. Коэффициент поглощения в примесной области зависит от интенсивности возбуждающего света, так как вероятность поглощения фотонов определяется степенью заполнения примесных уровней. [11]
Длинноволновая граница регистрируемого излучения определяется потенциалом ионизации газа, которым наполняется ионизационная камера, а его коротковолновая граница - коэффициентом пропускания материала окна. [12]
Верхняя, длинноволновая граница долгое время была неизвестна. По мере совершенствования методов и средств исследований верхняя граница инфракрасного излучения отодвигалась все далее и далее в область длинных волн, пока работы советских физиков А. А. Гла-гольевой - Аркадьевой в 1924 г. и М. А. Левицкой в 1927 г. не доказали, что эта граница вплотную примыкает к области ультракоротковолновых радиоизлучений. [13]
 |
Кривые спектральной чувствительности. [14] |
Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭ с внешним фотоэффектом определяется той длиной волны Хкр, при которой выбиваемый электрон выходит из вещества с нулевой скоростью. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5