Cтраница 3
Для каждого вещества существует длинноволновая граница V При ЯЯ0 ФЭ не происходит. [31]
Нарбут [5] показал, что длинноволновая граница области обращения у орто - и панхроматических эмульсий смещена в инфракрасную область спектра. Это явление легко объяснить, перенося на случаи сенсибилизированных эмульсий те же рассуждения, которые были приведены для десенсибилизированных. [32]
Ранее Мишер [2904, 2905] по положению длинноволновой границы спектра паров А1С13 нашел, что энергия связи О ( А1СЬ - С1) должна быть меньше 106 ккал / моль. Этому соответствует значение A f0 ( AlCl2, газ), превышающее по абсолютной величине - 62 ккал / моль. [33]
Подобным же образом легко найти Длинноволновую границу фотоэффекта. Пусть опять работа выхода катода равна 2 эв. [34]
![]() |
Кривые пропускания некоторых белых, желтых, оранжевых и красных. [35] |
Полезно иметь в виду, что длинноволновая граница полосы пропускания, в противоположность коротковолновой, бывает обычно сравнительно пологой. [36]
Оптические свойства полупроводников, например положение длинноволновой границы в спектре поглощения, позволяют определять ширину запрещенной зоны. Многие из нижеприводимых величин этого параметра определены именно таким образом. Максимум чувствительности в спектральном распределении фотоэлектрического эффекта возникает при длинах волн падающего света, приблизительно соответствующих полосе поглощения. Поэтому этот параметр также дает возможность судить о коренных свойствах полупроводника и в дальнейшем будет упоминаться. [37]
![]() |
Кривые спектрального распределения энергии черного ( 1, серого ( 2 и селективного ( 3 излучении. [38] |
Для повышения чувствительности фотосо-противлепий и расширения длинноволновой границы их спектральной чувствительности ( что позволяет принимать ИК излучение от низкотемпературных объектов) необходимо применять глубокое ( до t - - 250 C) охлаждение детекторов. [39]
![]() |
Кривые спектрального распределения энергии черного ( 1, серого ( 2 и селективного ( 3 излучения. [40] |
Для повышения чувствительности фотосо-противлепий и расширения длинноволновой границы их спектральной чувствительности ( что позволяет принимать И К излучение от низкотемпературных объектов) необходимо применять глубокое ( до - 250 С) охлаждение детекторов. [41]
Собственная полоса поглощения, всегда имеющая отчетливо выраженную длинноволновую границу, в принципе может иметь и коротковолновую, определяемую наибольшей энергией фотона, возможной при переходах между двумя зонами - валентной и проводимости. [42]
Собственная полоса поглощения, всегда имеющая отчетливо выраженную длинноволновую границу, в принципе может иметь и коротковолновую. Однако во многих случаях зона проводимости перекрывается вышележащими разрешенными зонами, образуя сплошной спектр. Поэтому спектр поглощения и спектральная зависимость внутреннего фотоэффекта простирается далеко в коротковолновую область. Вместе с тем при больших энергиях фотонов ( hv 2ДЕ) фотопереход электрона в зону проводимости может сопровождаться эффектом ударной ионизации, приводящей к освобождению нескольких электронов и дырок. Таким образом, теория внутреннего фотоэффекта сводится к теории поглощения лишь в некоторой области спектра вблизи длинноволнового края собственной полосы поглощения. [43]
![]() |
Зависимость энергии от квазиимпульса в InSb. [44] |
Так, например, при комнатной температуре длинноволновая граница в чистом InSb находится - у7 1 мк, в то время как при концентрации электронов 5 1018 см - л она смещается до 3 5 мк. [45]