Cтраница 5
Общий ход кривой спектральной чувствительности любого фотоэлемента характеризуется подъемом от длинноволновой границы АО до максимума ( соответствующая которому длина волны обозначается обычно через Кт), за которым следует спад чувствительности, который может переходить в новый подъем. Соответственно такие спектральные кривые могут иметь один, два и более максимума. [61]
В уравнении ( 10) X, - длина волны длинноволновой границы полосы поглощения, в которой осуществляются процессы ( 8) или ( 9); Еа - окислительно-восстановительный потенциал, соответствующий парам Мж7М ( ж 1) и А / А 1 соответственно; F - число Фарадея. [62]
Изучение зависимости светопоглощения тонких слоев А128е3 от температуры показало смещение длинноволновой границы собственного поглощения с изменением температуры в сторону коротких волн при ее понижении и в сторону больших длин волн при ее повышении. [63]
Изучение зависимости светопоглощения тонких слоев А123е3 от температуры показало смещение длинноволновой границы собственного поглощения с изменением температуры в сторону коротких волн при ее понижении и в сторону больших длин волн при ее повышении. [64]
По данным Рывкина [75], понижение температуры ведет к смещению длинноволновой границы максимума фотопроводимости GaSe в сторону более коротких волн. По этим измерениям, Eg равна 2 04 эв. Гросс и др. [25] исследовали спектры поглощения кристаллов GaS и GaSe и нашли, что спектры GaS и GaSe имеют линейчатую структуру и очень похожи; для GaSe при 290 К, по этим данным, Eg 1 98 эв. [65]