Границы - кристалл
Cтраница 1
Границы кристалла должны быть узлами стоячей волны. [1]
Границы кристаллов, отдельные структурные составляющие сплавов и микроструктура выявляются только после соответствующего травления специальными реактивами. [2]
Вдали от границы кристалла на 1 см2 мономолекулярного слоя приходится с0а экситонов, так что концентрация поверхностных экситонов оказывается большей концентрации объемных в Ыа раз. [3]
В момент кристаллизации они оттесняются на границы кристаллов, благодаря чему концентрируются в значительные по размерам пленки. Он же рекомендует переплав как средство улучшения отливок: сконцентрированные пленки при расплавлении легко по его мнению всплывут на поверхность. [4]
Схематически явление НПВО изображено на рис. 4.16. Падающий свет отражается от границы кристалла и исследуемого вещества. [5]
 |
Экспериментальные зависимости коэффициента усиления Г ( Г ос Im. sf от пространственной частоты К, полученные в для ФРК ВТО при различных амплитудах знакопеременного поля. [6] |
Одна из таких ситуаций возникает, когда ФРК применяются в ПВМС, где границы кристалла оказывают сильное воздействие на формирование фотоиндуцированного заряда. Циклические условия здесь не применимы. [7]
Вид граничного условия зависит от состояния поверхности; условие полного отражения экситонов от границы кристалла, использованное Симпсоном, обосновано, если поверхность кристалла лишена загрязнений, а роль переходов объемных экситонов в поверхностные ничтожно мала. Сейчас трудно судить, насколько граничные условия в работах [28, 348] были выбраны верно. Отметим только, что, поскольку при &82-103 см 1 большинство экситонов в кристалле образуется вблизи освещенной поверхности ( на расстоянии порядка длины диффузионного смещения), вопрос этот весьма существен и требует специального рассмотрения. [8]
Нетрудно в этом случае связать скорость v с коэффициентом внутреннего отражения поляритонов от границы кристалла. [9]
Различные структурные дефекты решетки: избыточные атомы в междоузлиях, вакансии, дислокации, границы кристалла, оказывают значительное влияние на структурно-чувствительные свойства полупроводников. Многие полупроводниковые соединения являются фазами переменного состава с более или менее широкой областью существования. Свойства таких соединений определяются главным образом природой и концентрацией точечных дефектов. Управление структурно-чувствительными свойствами материалов сводится к выбору методов и установлению условий, обеспечивающих возможность контролируемого введения дефектов определенного типа в решетку кристалла либо в процессе его выращивания, либо при его последующих обработках. Однако для этого необходимо предварительно установить характер и степень изменения физических свойств при введении в решетку кристалла дефектов определенного типа ( например, примесей) в зависимости от их концентрации. [10]
Если скорость образования велика, то еще до того, как монослой дорастет до границы кристалла, образуются новые двумерные зародыши. При этом они растут друг другу навстречу и это приводит к образованию поверхности с макроступенями. Важно, что при встрече ступеней, особенно высоких, они не срастаются, так как при этом плохо отводится тепло кристаллизации. Атом, попавший в угол, образованный высоким выступом, может отдать энергию лишь немногим соседям, следовательно, мономолекулярная ступень развивается гораздо быстрее. Во многих случаях высокая ступень может расти только в направлении образования двумерных зародышей. Это относится в первую очередь к теплоотводу. [11]
Неравновесный пузырек, в котором давление газа не уравновешено силами поверхностного натяжения, находясь вблизи границы кристалла, должен испытывать направленное диффузионное перемещение. Такое перемещение обусловлено тем, что если неравновесный лузы-рек находится вблизи поверхности кристалла, то поле напряжений вокруг него искажается и силы зеркального изображения на границе кристалла приводят к появлению градиента напряжений на поверхности пузырька. [12]
Следует отметить, что чем ближе значения показателей преломления жидкости и кристалла, тем менее заметными становятся границы кристалла в поле зрения микроскопа, кристалл как бы растворяется в жидкости. [13]
Важным следствием этого является наличие у электронной системы, помимо делокализованных зонных состояний, которые подобны бло-ховским, состояний, локализованных вблизи границы кристалла, а также вблизи абсорбированных атомов или молекул. Отсутствие трансляционной симметрии не дает возможности в данном случае использовать для расчета электронной структуры методы, развитые в энергетической зонной теории твердого тела. [14]
Сущность химического травления состоит в том, что на зеркальную поверхность образца действуют различными реактивами в течение определенного времени, выявляя тем самым границы кристаллов, форму, размеры и их взаимное расположение. Для сплавов подбирают реактивы так, чтобы они различно действовали на составляющие их компоненты. Исследование полученной микроструктуры проводят с помощью металломикроскопа. [15]
Страницы: 1 2 3 4