Границы - кристалл
Cтраница 4
Совсем другие явления наблюдаются тогда, когда полупроводниковый материал находится во внешнем электростатическом поле, положительный полюс которого расположен со стороны р-области полупроводника, а отрицательный - со стороны л-области. В этом случае в цепи течет постоянный электрический ток. Электроны поступают в кристалл с правого электрода, затем проходят через зону проводимости / - области, через область п-р-перехода попадают в валентную зону р-области и перемещаются здесь до границы кристалла за счет дырочной проводимости, пока не попадут в левый электрод. В противоположном направлении электрический ток течь не может, так как при достаточно низком потенциале внешнего электрического поля электроны не могут преодолеть барьер в области п-р-перехода и, следовательно, не могут перемещаться слева направо. Такой кристалл работает как выпрямитель электрического тока, пропускающий только ток определенного направления. Его можно использовать для преобразования переменного тока в постоянный. В настоящее время выпрямители па основе кремния все больше вытесняют ламповые диоды. [46]
 |
Влияние углерода ( а и легирующих элементов ( б на мартенситные точки. [47] |
В высоко - и среднеуг-леродистых сталях кристаллы мартенсита имеют форму линзовидных пластин ( игл в плоскости шлифа), образующих фермоподобные ансамбли. В малоуглеродистых сталях мартенситные кристаллы представляют собой рейки, ориентированные в одном направлении и собранные в пакеты. Каждый кристалл мартенсита состоит из блоков, размеры которых меньше, чем в исходном аустените. Границы мартен-ситных кристаллов и блоков, а также статические искажения решетки от присутствия углерода являются препятствиями для движения дислокаций. [48]
Пленки SiQ2, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а также при слиянии точечных дефектов ( вакансий) в кластеры. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [49]
Пленки Si02, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [50]
 |
Схема рассеяния у-квантов в поглотителе. [51] |
При выборе рабочего режима установки крайне важно правильно подобрать напряжение на фотоэлектронном умножителе. Как известно, импульсы фотоэлектрогншх умножителей ( еуш не принимать особых мер) имеют сравнительно большой разброс амплитуд даже в тех случаях, когда сцинтилляционные счетчики используются для регистрации заряженных частиц одной энергии. При регистрации - квантов разброс оказывается еще больше, поскольку в кристалле могут поглощаться различные доли энергии кванта. Остальная энергия уносится рассеянным квантом, а также комптоновскими электронами или фотоэлектронами, если они образовались вблизи от границы кристалла и могут из него вылететь. [52]
Авогадро, М - молекулярная масса повторяющегося звена, ар - плотность материала. При любом значении силы, большем, чем s0 в бездефектном кристаллите, не может быть статического равновесия. Следует заметить, что сила, которая вытягивает цепь из кристаллита на всю длину последного, в 15 8 раза больше силы nvd, необходимой для вытаскивания одного мономерного звена. Если натяжение s0 разделить на поперечное сечение цепи ( 0 1824 нм2), то получим максимальное осевое напряжение, равное 7 5 ГПа, которое совершенный кристаллит ПЭ способен вызвать в проходной молекуле. Насколько можно судить по рис. 5.4, максимальное механическое возбуждение цепи проникает внутрь кристаллита на - 5 нм. На расстоянии 6 нм от границы кристалла возбуждение слабее, чем средняя амплитуда тепловых колебаний при комнатной температуре, которая составляет - 0 008 нм. [53]
Значительно сложнее обстоит дело с правой частью. Начнем с того, что рассмотрим причины, которые могут вызывать рассеяние фононов. В идеальном кристалле с упругими межатомными силами гармонические волны распространяются независимо друг от друга, не взаимодействуют и не затухают, точно так же, как электромагнитные колебания в пустоте. Это видно из того, что решение уравнения (4.6) представляет собой сумму независимых незатухающих колебаний. Эта вероятность появляется в результате возмущений - нарушений периодичности потенциала. Такими возмущениями могут быть: 1) чужеродные атомы, атомы в междуузлиях и пустые узлы ( так называемые точечные дефекты); 2) линейные дефекты - дислокации; 3) плоские дефекты - границы кристалла и зерен в поликристаллическом образце; 4) объемные дефекты - трещины, полости, поры, вкрапления другой фазы; 5) ангармоничность колебаний, обусловливающая их взаимодействие, или ( на корпускулярном языке) рассеяние фононов на фононах. [54]
Чем больше загрязнен металл, тем в большей степени свойства его зависят от величины зерна. Наилучшие свойства обеспечивает слиток с однородной плотной мелкозернистой структурой и равномерным распределением примесей и дислокаций по объему. В этом плане идеальной была бы равноосная мелкозернистая структура, при которой однородность рассредоточения примесей максимальна, а вероятность возникновения напряжений, связанных с различной ориентацией и зачастую превышающих силы сцепления [85], минимальна. Но практически получить слиток с подобной структурой удается в очень редких случаях. Наружная зона замороженных кристаллов ( если она образуется) из-за наличия поверхностных дефектов часто удаляется либо механическим путем, либо окислением в нагревательных колодцах. Центральная равноосная зона во многих случаях разнозерниста, загрязнена примесями и поражена пористостью. Для ее улучшения пытаются использовать различные методы воздействия на процесс кристаллизации слитка. Столбчатая зона более однородна, если границы кристаллов не обогащены хрупкими фазами. [55]
Страницы: 1 2 3 4