Границы - кристалл
Cтраница 2
По характеру разрушения коррозия может быть сплошной или местной, равномерной или неравномерной, язвенной, точечной, избирательной, когда в большей степени разрушается один из компонентов сплава, межкристаллитной, когда разрушению подвергаются границы кристаллов ( зерен) металла. [16]
Вне зависимости от существующих взглядов на природу и структуру активных участков каталитически действующей поверхности контакта ( будь то активные центры, по Тэйлору, места нарушения кристаллической структуры, по Смекалю, активные линии - ребра и границы кристаллов, по Швабу и Питчу, углы ионных решеток, по Странскому), как бы мы ни представляли себе строение каталитической поверхности, необходимо также иметь в виду и пространственную конфигурацию молекул, чтобы получить представление о характере деформации этих молекул при их взаимодействии с активной поверхностью катализатора. [17]
Описанные эффекты характерны и для поверхностных акустических волн, упругая анизотропия к-рых сказывается на их структуре: в зависимости от среза кристалла и от направления распространения поверхностной волны в плоскости этого среза изменяются характер движения частиц среды в волне вблизи границы кристалла ( форма траекторий, их ориентация относительно поверхности кристалла) и глубина проникновения волны в глубь кристалла. [18]
Такой тип проволоки получают путем прокаливания и одновременного протягивания. При этом образующиеся границы кристаллов идут параллельно оси проволоки, что также увеличивает долговечность катода. [20]
Дислокации ( краевые и винтовые) не могут обрываться внутри кристалла. Они выходят на границы кристалла, прерываются другими дислокациями или образуют дислокационные петли. [21]
Медленные состояния характеризуются временем захвата в пределах от нескольких миллисекунд до многих часов. Они локализованы дальше от границы кристалла внутри окисла. [22]
Светоэкситон одновременно обладает и свойствами экситона, и свойствами фотона. Как экситон он рассеивается на фононах, а достигнув границы кристалла, может выйти из него как обычный фотон. [23]
 |
Схема электрическая подключения полупроводниковой ИС. [24] |
Каждый элемент ИС ( многоугольник) должен иметь цифровое обозначение левой нижней вершины. Цифра / присваивается левому нижнему углу прямоугольника, определяющего границы кристалла. Следующие вершины обозначаются последовательно для каждого элемента по расположению элементов слева направо и снизу вверх. [25]
Легко намагничиваются ( малое значение Я5) химически чистые ферромагнитные металлы и однофазные сплавы на их основе. Количество кристаллических дефектов в них должно быть минимальным, например, границы кристаллов должны иметь минимальную протяженность, что обеспечивается крупнокристаллической структурой. [26]
Эти оценки позволяют установить пределы применимости предположения о том, что процесс распада протекает в две стадии. В том случае, когда основным источником вакансий являются границы зерен и границы кристалла, условие ( 1 / L) 2 1 представляется вполне естественным. [27]
Предварительно деформированный вольфрам имеет мелкозернистую структуру. Включения газов и неметаллических примесей у этого металла находятся в мелкодисперсном виде и распределены более равномерно, границы кристаллов более тонкие и чистые. Мелкозернистая структура приводит к повышению механических свойств и пластичности. Наибольшую пластичность имеют вольфрам и сплавы на его основе при деформации прессованием ( выдавливанием) при температуре 1200 - 1650 С и при обжатии 50 - 80 % для вольфрама и 50 - 70 % для малолегированных сплавов. [28]
При Т ( 1 / 20) 6д величина / становится сравнимой с размерами реального кристалла, а поскольку границы кристаллов обычно плохо отражают фононы, / можно считать константой, равной размеру кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3 4