Границы - двойник
Cтраница 1
Границы двойников четкие, при подъеме и опускании тубуса не смещаются. [1]
Границы двойников могут действовать как барьеры для скользящих дислокаций. Кроме того, при пересечении скользящих дислокаций с границами двойников могут образовываться двойникующие дислокации и распространяться новый двойник. Последний механизм образования новых двойников наиболее вероятен в кристаллах с высокой симметрией. [2]
 |
Схема, поясняющая элементы двойникования.| Кривые напряжение - деформация для кристаллов сплава Си 10 % ( ат. In ( а и кристалла кадмия ( б. [3] |
Торцовые границы двойника, заканчивающиеся внутри зерна или на его границах, являются некогерентными. [4]
 |
Зависимость вращения ( dy / dQ / от 1п ( Рн2о /. Н2 Ддя поверхности меди 5 - 10 плоскости ( 111. [5] |
Если границы двойников не перпендикулярны к свободной поверхности, получается лишь одно уравнение, связывающее два вращательных члена dyA / dQ и d BldQ двух кристаллов А и В, являющихся двойниками. Если же они перпендикулярны к свободной поверхности, то эти два члена идентичны и тогда можно определить величину вращательного члена. [6]
Тогда для границы остаточного двойника можно ьредложить модель, изображенную на рис. 4.18, что приводит нас к проблеме плоского скопления дислокаций. [7]
 |
Двойники в сплаве железо-кремний ( X 200. [8] |
Видимые в структуре прямые границы двойников ( рис. 5, в) представляют собой след пересечения плоскостей ( 111) на границе матрица - двойник с плоскостью шлифа. На этих границах между расположением атомов в матрице и двойника имеется закономерная, когерентная связь. Когерентные границы двойника обладают, как и всякие границы, определенной поверхностной энергией. Однако, очевидно, что эта поверхностная энергия значительно меньше поверхностной энергии на обычных некогерентных границах. По подсчетам ряда авторов [ М ], отношение удельной поверхностной энергии на когерентной границе матрица - двойник к удельной поверхностной энергия обычных границ различно для разных металлов. Чем меньше это отношение, тем более вероятно образование двойников в данном металле. Поэтому в меди двойникование наблюдается чаще, чем в алюминии. [9]
Однако известно, что границы дофинейских двойников, энергия которых мало зависит от направления, в аналогичных случаях всегда ориентируется нормально к поверхности роста, как того и требует принцип минимальности энергии. Строение этих участков в наросшем материале пока неясно. Возможно, в этих участках происходит нарушение сплошности кристаллов. [10]
Особым случаем большеугловой границы с малыми искажениями строения являются границы двойников, энергия которых примерно соответствует половине энергии дефекта упаковки. [11]
Особым случаем болыыеугловой границы с малыми искажениями строения являются границы двойников, энергия которых примерно соответствует половине энергии дефекта упаковки. [12]
Плоские границы зерен, наклонные к поверхности фольги, границы двойников и дефектов упаковки обнаруживают один и тот же тип контраста-систему чередующихся светлых и темных полос. [13]
Особым случаем болыпеугловой границы с малыми искажениями строения являются границы двойников, энергия которых примерно соответствует половине энергии дефекта упаковки. [14]
 |
Схема кристаллизации ии растьора в расплаве. 1 - 3 5, 4-тигель.| Схема кристаллизации методом гидротермального синтеза. 1-а 5, 4 - вещество для кристаллизации. [15] |
Страницы: 1 2 3 4