Cтраница 4
![]() |
Диаграмма рекристаллизации мягкой стали.| Образование двойника рекристаллизации. [46] |
Образование двойника происходит, когда зерно А врастает в зерна Si и S. Границы зерен ASi и AS2 являются болыпеуг левыми границами с большой энергией. Энергетически выгодные условия возникают, когда образуется зерно А с ориентацией двойника. Сумма энергий границ зерен A Si и A Ss, а также границы двойника АА должна быть меньше, чем соответствующая граничная энергия системы, в которой не образуется двойник. [47]
Дислокации образуются в процессе пластического деформирования или вследствие перестройки скоплений точечных субмикродефек-тов. Так, петли дислокаций вычитания возникают при схлопывании дискообразных скоплений вакансий, а петли дислокаций внедрения - вследствие перестройки скоплений из междоузельных атомов. Дислокации скапливаются на различных барьерах ( см. также Упрочнение) и в определенных условиях ( см. также Хрупкость) переходят в сверхдислокации и субмикротрещины. Поверхностные субмикродефекты протяженны в двух измерениях и малы в третьем. К ним относятся дефекты упаковки ( см. Дислокации), субграницы ( см. Полигональная структура), границы верен, межфазные границы ( см. Гетерогенная структура), границы двойников ( см. Двойниковая структура), антифазные границы ( см. Антифазная структура) и поверхность металла. [48]
Точечный дефект представляет собой в высшей степени локальный дефект, влияние которого простирается лишь на один или несколько атомных диаметров от его центра. К точечным дефектам относятся вакансии ( не занятые атомами узлы), межузельные атомы, растворенные атомы и свободные атомы в упорядоченной решетке. Линейный дефект представляет собой дислокацию. Этот тип дефектов будет подробно рассмотрен ниже. Поверхностный дефект представляет собой плоскость или криволинейную поверхность, образованную множеством дефектов в кристалле. К ним относятся границы зерен, границы субзерен, границы двойников и скопления дефектов в атомных плоскостях внутри кристаллов. Объемные дефекты - это трехмерные дефекты, такие, как пустоты, пузырьковые включения, частицы, ориентированные отлично от окружающей матрицы, или скопления точечных дефектов в упорядоченной матрице. [49]