Базисная грань

Cтраница 1

Базисная грань ( 001) слюды растет медленнее других и всегда хорошо выражена на кристаллах. В зависимости от условий рост этой грани происходит по нуклеарно-дислокационному механизму. [1]

Поверхность базисной грани с кристаллографическим индексом ( 0001) адсорбентов со слоистой решеткой типа МХ2 заселена ионами одного типа, например ионами хлора. Из рис. 1 6, где приведены изотермы адсорбции ксенона на образцах NiCl2 [304], видно существенное влияние недостаточно откачанной воды на форму изотермы. Изотерма адсорбции имеет несколько ступеней благодаря выходу на поверхность кристаллов нескольких граней. В случае же образца, из которого длительной откачкой удалена вода, в области преимущественного заполнения монослоя на всей поверхности адсорбента наблюдается двухступенчатая изотерма адсорбции. [2]

Адсорбция на базисной грани атомной решетки графита представляет один из наиболее простых случаев неспецифической адсорбции. [3]

Вид цепи парафинового углеводорода вдоль ее оси. [4]

Кристаллит активированного угля имеет базисные грани, состоящие из параллельных шестиугольных ячеек, в вершинах которых расположены атомы углерода ( рис. 110), связанные между собой ковалентными связями. [5]

Вид цепи парафинового углеводорода вдоль ее оси. [6]

Кристаллит активированного угля имеет базисные грани, состоящие из параллельных шестиугольных ячеек, в вершинах которых расположены атомы углерода ( рис. ПО), связанные между собой ковалентными связями. [7]

Поверхность этих полиэдров образована однородными базисными гранями кристаллитов графита. [8]

Идеальным примером такой поверхности является базисная грань полубесконечного кристалла графита. Эта поверхность в высокой степени инертна. Однако для практических применений в газовой хроматографии целесообразно иметь графитовый адсорбент с удельной поверхностью не менее 5 - 10 м2 / г. Для этого используются сажи, получаемые термическим разложением метана, выделяющийся при этом водород предохраняет углерод от окисления. [9]

Спирали на граии ( 0001.| Схема грани роста реального кристалла.| Торможение примесями плоских фронтов роста на грани кристалла SiC и образование при прорывах барьеров примесей эле. [10]

На рис. 7.23 приведены картины базисной грани ( 0001) кристаллов карбида кремния, полученных из газовой фазы. Видны правая однозаходная ( а) и левая четырехзаходная ( б) спирали. Центры этих спиралей представляют выходы на поверхность сей винтовых дислокаций. [11]

Структура графита. [12]

Помимо химически неактивной и адсорбирующей неспецифически базисной грани кристалл графита имеет призматические грани. Благодаря обрыву на этих гранях гексагональных сеток они химически активны и обычно насыщены содержащими водород и кислород функциональными группами. [13]

Для взаимодействия молекулы этана с базисной гранью графита энергетически наиболее выгодно цис-расположение атомов Н в молекуле. Рассчитанное абсолютное значение Ф для молекулы этана при цис-расположении атомов Н приблизительно на 2 5 кДж / моль больше, чем при транс-расположении. В объеме же газа энергетически более выгодно транс-расположение атомов Н в молекуле. [14]

Весьма интересно исследовать взаимодействия с базисной гранью графита молекул с сопряженными связями. [15]

Страницы: 1 2 3 4