Единичная грань

Cтраница 1

Единичная грань ( ее отрезки на координатных осях принимаются за меру измерения отрезков - параметров, которые создают другие грани в этом кристалле) должна быть хорошо выраженной, ее параметры: ао: bo: сь. Абсолютная величина их в огранении кристалла не имеет значения на основании закона постоянства двугранных узлов, единичную грань можно перенести параллельно на любые расстояния. Абсолютные значения параметров координатных осей геометрическими методами определить невозможно. В настоящее время их довольно точно определяют с помощью рентгеновских лучей. [2]

Кристаллографические оси моноклинных кристаллов. [3]

Единичной гранью ромбического кристалла ( так же как триклинного и моноклинного) выбирается грань, пересекающая все три кристаллографические оси. [4]

Правила выбора единичной грани даны в табл. И ( стр. [5]

Рассмотрение роста единичной грани при постоянной силе тока показывает, что механизм с упорядоченным возникновением и распространением одного слоя по грани осуществляется при минимальном перенапряжении, определяемом в основном энергией образования двухмерного зародыша. Происходящее при этом нарастание концентрационной поляризации в зоне прохождения фронта ро та слоя осуществляется за счет снижения эффективного перенапряжения без увеличения потенциала всего катода. [6]

Какой символ имеет единичная грань. [7]

Система кристаллографических осей. [8]

Выбор координатных осей и единичной грани для кристаллов одного и того же вещества называется установкой, она однозначна только для кристаллов кубической сингонии. [9]

Выбор координатных осей и единичной грани называется установкой кристалла. [10]

Выбор кристаллографических осей и единичной грани по морфологическим особенностям многогранников триклинной сингонии часто оказывается не однозначным. Предпочтение отдается такому варианту, при котором ось z является осью наиболее развитой зоны, углы а, р и у по возможности близки к 90 и единичные отрезки наиболее близки друг другу по абсолютной величине. [11]

Выбор кристаллографических осей и единичной грани по морфологическим особенностям - кристалла чаето оказывается не однозначным. Поэтому кристаллографические константы, полученные исходя из морфологической установки многогранника, могут отличаться от метрических констант этого же кристалла, полученных исходя из его структурной установки. [12]

Проекция граней 1 - 4 того же кристалла, что и на 100 при другом выборе осей. [13]

Грань 3 по сравнению с единичной гранью отсекает по оси г Отрезок больше, чем по х и у. Поэтому первый и второй ее индексы должны быть больше, чем третий. [14]

Построение стандартных сеток. Стадии I-IV. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5