Единичная грань

Cтраница 2

Для ее построения необходимо знать положение единичной грани, поскольку угловое положение последней зависит от соотношения осей. [16]

Чертеж к определению индексов ребра. [17]

Если известны символ ребра и параметры единичной грани, то можно решить обратную задачу - через начало координат провести прямую, соответствующую заданному символу. Для этого нужно построить параллелепипед с вершиной в точке О. Ребрами параллелепипеда будут параметры единичной грани, отложенные по соответствующим осям столько раз, сколько единиц содержится в соответствующем индексе ребра. Искомым ребром будет телесная диагональ параллелепипеда, проходящая через начало координат. [18]

Кроме того, бывает известно положение единичной грани U ( 111) или положение и символ косой грани ( hkl), или положение и символы двух двуединичных. [19]

Как получить символ ребра, если известны параметры единичной грани. [20]

Символ грани отражает ее наклон к кристаллографическим осям относительно единичной грани, но не отражает расстояние грани от начала координат. Если грань мысленно перенести параллельно самой себе в сторону начала координат или от него, то все отрезки, отсекаемые ею на кристаллографических осях, соответственно уменьшаются или увеличиваются в одно и то же число раз. Во многих случаях за счет параллельного переноса грани упрощается измерение отсекаемых ею отрезков и вычисление индексов. [21]

Положение каждой грани кристалла определяется относительно кристаллографических осей и единичной грани основного четырехгранника. [22]

Под термином установка кристаллов подразумеваются правила выбора координатных осей и единичной грани в кристаллах разных сингонии. Установка кристалла должна проводиться в строгом соответствии с его симметрией. [23]

Под термином установка кристаллов подразумеваются правила выбора координатных осей и единичной грани в кристаллах разных сингоний. Установка кристалла проводится в строгом соответствии с его симметрией. [24]

Изменение потенциала кристалла - нити по этапам увеличения и уменьшения протекающего через него тока. [25]

Таким образом, теоретическое рассмотрение процессов, протекающих при росте единичной грани кристалла, так же как и процессов роста нитей ( этот процесс представляет собой своеобразную модель роста единичной грани), показывает, что в самом механизме роста кристаллов существенную роль играют диффузионные фак-торы. [26]

Индексы узловых сеток ( двумерная решетка. [27]

Предположим, что на основании гониометрических данных установка кристалла произведена правильно, а единичная грань параллельна плоскости, проходящей через три вершины ячейки, лежащие на координатных осях. Тогда индексы серии сеток ( hkl) совпадают с мил-леровскими индексами ( hrkrlr) параллельной им грани с точностью до общего множителя. [28]

Выбор координатных осей в многограннике. [29]

Грань, параметры которой приняты за единицы измерения параметров остальных граней, называется единичной гранью. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5