Cтраница 4
Проще всего установка кубических кристаллов, где за координатные оси принимаются три двойные или четверные взаимно-перпендикулярные поворотные оси, за единичную грань - грань октаэдра или тетраэдра. Они отсекают на всех трех координатных осях равные отрезки. [46]
Иначе говоря, на кристаллическом многограннике образуются лишь такие грани, для которых двойные отношения отрезков, отсекаемых данной гранью и единичной гранью на трех ребрах кристалла, принятых за оси координат, равны отношению небольших целых, взаимно простых чисел. [47]
Напомним, что при обработке результатов гониометрического исследования отношение а: Ъ: с определяется на основании сферических координат ф и р единичной грани ( 111) Гон - Последняя выбирается в ряде случаев достаточно произвольно. [48]
![]() |
Оси и положение единичной грани гексагональных и тригональных кристаллов.| Положение граней тригональных и гексагональных кристаллов на проекции и символы граней. [49] |
По проекциям граней, изображенным на рис. 106, читатель должен представить себе положение этих граней относительно кристаллографических осей и убедиться в правильности написанных символов при данной единичной грани. [50]
В связи с неравенством промежутков рядов по кристаллографическим ося № триклинных кристаллов, у них вообще не должны быть равны друг другу и единичные отрезки - параметры единичной грани. [51]
Па / 1пмс / п / пмп грани, называются величины отрезков, отсекаемых плоскостью грани на осях, причем за единицу приняты величием отрезков, отсекаемых единичной гранью. [52]
Таким образом, теоретическое рассмотрение процессов, протекающих при росте единичной грани кристалла, так же как и процессов роста нитей ( этот процесс представляет собой своеобразную модель роста единичной грани), показывает, что в самом механизме роста кристаллов существенную роль играют диффузионные фак-торы. [53]
На функции контакта кроме упомянутых условий могут быть наложены дополнительные требования, так что будем предполагать, что U Е Du, где множество Du представляет собой подмножество вершин куба с единичными гранями, расположенного в положительном квадранте с одной из вершин в начале координат. [54]
Для нахождения символа той или иной грани кристалла надо прежде всего выбрать координатные оси и единичную грань, затем определить величины отрезков, отсекаемых на осях X, Y и Z исковой гранью; измерить эти отрезки соответствующими отрезками единичной грани; взять отношения, обратные найденным, и привести их к целым числам. [55]
Индексы Л, fe, / - целые числа, пропорциональные соответственно обратным значениям отрезков a, b к с, отсекаемых данной плоскостью на координатных осях х, у, г. При этом за единицы измерения по каждой из осей х, у, г берут соответственные отрезки в0, 60, с0, отсекаемые на этих осях одной из граней кристалла, называемой единичной гранью. [56]
Очевидно, что полученные отношения также будут выражаться целыми числами, обозначаемыми в общем случае через буквы h, k и I, Таким образом, положение всякой грани может быть выражено однозначно через три величины h, k и /, отношение между которыми обратно отношениям длин отрезков, делаемых гранью на трех кристаллографических осях, причем по каждой си, в общем случае, должны быть взяты те отрезки ( единичные отрезки), которые делает единичная грань на соответствующих осях. Если взять за кристаллографические оси направления, которые совпадают с осями симметрии или нормалями к плоскостям симметрии или, если нет таких элементов симметрии, с ребрами кристалла, то характеристики граней могут быть выражены простыми и целыми числами, при этом все грани одной формы будут выражены сходным образом. [57]
Для нахождения осевых единиц кристалла одну из гранен кристалла, которая пересекает все три оси координат, принимают за единичную грань. Единичной гранью называется грань, пересекающая оси на расстоянии одной осевой единицы от центра. [58]
У моноклинных кристаллов aY90, p90 и ао & от Со, так как у них кристаллографические оси совпадают с единичными прямыми. Единичной гранью кристалла моноклинной сингонии называется грань, пересекающая все три кристаллографические оси. Выбор тгержой и третьей осей и единичной грани у моноклняных кристаллов не однозначен. Нужно стараться выбрать угол р близкий к 90 и единичные отрезки близкие друг другу по абсолютной величине. [59]
Пусть единичная грань отсекает на осях координат отрезки О А, ОБ, ОС. [60]