Диффузия - донорная примесь
Cтраница 1
Диффузия донорной примеси проводится в вакуумной печи, которая представляет собой маленькую молибденовую капсулу, нагреваемую вольфрамовой спиралью. [1]
 |
Изготовление биполярных транзисторов методом планарно-диффузионной технологии.| Изготовление биполярной транзисторной структуры с помощью эпи-таксиально-планарной технологии. [2] |
В-результате диффузии донорной примеси в исходной пластинке образуются коллекторные области транзисторов. Далее ( рис. 9.3, в) производят повторную диффузию акцепторной примеси с целью получения базовой области. Третья диффузия ( рис. 9.3, г) приводит к образованию эмиттера. После этого осуществляют омический контакт с областями коллектора, базы и эмиттера и создают контактные площадки, к которым впоследствии можно присоединять внешние выводы. [3]
 |
Конструкция силового вентиля ( о и тиристора ( б. [4] |
В образовавшиеся окна производят диффузию донорных примесей с образованием четвертого - слоя. [5]
Для получения электронно-дырочного перехода в я-кремнии проводят диффузию донорной примеси с одной стороны плоской заготовки полупроводника, для чего обычно используют фосфор. [6]
Этот слой, называемый скрытым слоем, получают путем дополнительной диффузии донорной примеси перед наращиванием эпитаксиального слоя. [7]
Пусть имеется двухслойная структура, образующая р-п-пере-ход, например, вследствие диффузии донорной примеси в подложку р-типа. Поверх диффузионного слоя нанесены диэлектрик и металлическая пленка, так что диффузионный слой, слой диэлектрика и металлическая пленка образуют МДП-структуру. [8]
Прибор по варианту б, показанный на рис. 4 6, изготавливался при помощи диффузии донорной примеси с двух стород через поверхность пластинки кремния с дырочной проводимостью. Четвертая область прибора получалась путем вплавления акцепторной примеси в один из слоев с электронной проводимостью, полученных путем диффузии. Прибор по варианту е ( рис. 4 в) был получен при помощи диффузии донорной примеси с двух сторон через поверхность пластинки кремния. [10]
 |
Распределение примесей при создании электронно-дырочного перехода путем диффузии. [11] |
Рассмотрим случай, когда в германий с постоянной концентрацией акцепторных примесей Л / а производится диффузия донорной примеси, например сурьмы. После диффузии концентрация сурьмы от поверхности в глубь германия изменяется в соответствии с рис. В. До расстояния х0 от поверхности кристалла концентрация доноров ( сурьмы в данном примере) превышает концентрацию акцепторов в исходном германии. [12]
 |
Распределение концентрации примесей в дрейфовом транзисторе. [13] |
Существенное влияние на результирующее распределение примесей оказывает то, что коэффициент диффузии акцепторной примеси значительно отличается от коэффициента диффузии донорной примеси. [14]
Далее в пленке окисла методом фотолитографии вновь создают окна несколько меньшего размера и в атмосфере пятиокнси фосфора производят диффузию донорной примеси. Остается вскрыть окна для алюминиевых электродов базы и эмиттера, нанести эти электроды ( рис. 4.7, д) - и транзисторные структуры готовы. После резки пластинки на отдельные элементы, содержащие по одной транзисторной структуре, каждый элемент, называемый кристаллом, впаивают коллектором на дно ножки стандартного корпуса, эмиттерный и базовый контакты присоединяют тонкими проводниками к соответствующим траверсам ножки. Выпускаются также бескорпусные транзисторы, у которых климатическая защита осуществляется с помощью тонкой пленки силикатного стекла. Пленарные транзисторы имеют переменную концентрацию примесей в базе, уменьшающуюся в сторону коллектора, что снижает, как указывалось, сопротивление базы и емкость коллектора. Градиент примеси имеется и в эмиттере, что уменьшает его емкость и распределенное сопротивление эмиттера, а также повышает пробивное напряжение эмиттерного перехода. [15]
Страницы: 1 2 3