Диффузия - донорная примесь
Cтраница 3
За основу берется пластина кремния - типа, которая в результирующей структуре играет роль коллектора. В эту пластину через 1 - ю оксидную маску осуществляется диффузия акцепторной примеси ( обычно бора) и получается слой р-базы. Затем через 2 - ю оксидную маску осуществляется диффузия донорной примеси ( обычнс фосфора) и получается эмиттерный слой. Наконец, через 3 - ю маску напыляют омические контакты ко всем трем электродам и далее методом термоком-прессии осуществляют внешние выводы. [31]
Прибор по варианту б, показанный на рис. 4 6, изготавливался при помощи диффузии донорной примеси с двух стород через поверхность пластинки кремния с дырочной проводимостью. Четвертая область прибора получалась путем вплавления акцепторной примеси в один из слоев с электронной проводимостью, полученных путем диффузии. Прибор по варианту е ( рис. 4 в) был получен при помощи диффузии донорной примеси с двух сторон через поверхность пластинки кремния. [32]
Эти технологические методы позволяют удалять пленку с очень малых участков ( порядка десятых долей квадратных микрометров) при соблюдении высокой точности. Затем через освобожденный участок ( окно) в специальных печах производят диффузию акцепторной примеси, в результате чего формируется базовая область. Процесс окисления затем повторяют, вскрывают меньшее по площади окно, через которое ведут диффузию донорной примеси для формирования эмиттерной области. [33]
Он занимает положение в ячейке, насытив соседнюю разорванную связь. Поэтому он, образуя новый октаэдр, поддерживает структурный порядок, принимая участие в образовании микрокристаллитов окисла. Свободная валентность фосфора может связывать натрий, вызывая гетерирующее действие фосфора в SiO2, а также действие, тормозящее диффузию донорных примесей. [34]
Метод диффузии позволяет получать сразу несколько р-п-переходов в одной пластине. В этом случае газовая среда должна содержать и до-норную Nn и акцепторную Np примеси. В кремнии, наоборот, акцепторные примеси диффундируют быстрее. На рис. 18.19 показана диффузия в дырочный германий акцепторной ( Ga) и донорной ( Sb) примесей. Скорость диффузии донорной примеси больше, а поэтому она распространяется на большую глубину. При таком методе в наружном р-слое распределение примеси неравномерно. Кроме того, около р - п-перехода концентрация примеси изменяется плавно, что ухудшает характеристики прибора. [35]
 |
Изопланарный транзистор с эпитакси-альной базой. [36] |
Существенно лучшие технические характеристики по быстродействию реализуются в транзисторах, изготовляемых методами изопланарной технологии. Схематически конструкция изопланарного транзистора с двойной диффузией показана на рис. 3 - 2, в. В этом варианте на скрытой - области производится эпитаксиальное наращивание n - области коллектора, а база и эмиттер формируются соответственно за счет диффузии в эпитаксиальный слой примесей р-и л-типа. Другой вариант изопланарного транзистора представлен на рис. 3 - 29, на котором показаны реальные соотношения размеров отдельных элементов структуры. На п - области скрытого слоя коллектора в этом варианте выращивается эпитаксиальный р слой базы. Невыпрямляющий контакт с выводом базы создается за счет дополнительного легирования базы примесью р-ти-па. Для получения п - области эмиттера проводится диффузия донорной примеси. Формирование соединительных каналов между скрытым слоем л - типа и выводами коллекторов производится в обоих вариантах транзисторов глубокой га - диффузией сквозь эпитаксиальный слой. [37]
Страницы: 1 2 3