Использование - диэлектрик
Cтраница 1
Использование многослойного подзатворного диэлектрика позволяет создавать элементы памяти, сохраняющие свое состояние при отключении напряжения питания и пригодные для использования в РПЛМ. [1]
При использовании диэлектриков в качестве диэлектрических материалов по отношению к внешним воздействиям учитываются такие характеристики, как нагревостойкость, стойкость к термоударам, холодостойкость, дугостой-кость, зимостойкость, радиационная стойкость, короностойкость, трекинго-стойкость, влагостойкость, водостойкость, водопоглощение, тропикостой-кость, плес-нестойкость, влагопоглоще-пие и старение диэлектрика. [2]
При использовании диэлектриков с ер40 все приведенные в табл. 10.1 размеры следует увеличить в 1 4 раза. [3]
 |
Зависимость механических напряжений от диэлектрических потерь в SiO-пленках ( толщина диэлектриков 2000 - 4500А. [4] |
При использовании диэлектриков, необходимых для обеспечения проводимости, ситуация несколько меняется. Для обеспечения достаточной проводимости могут потребоваться кристаллические диэлектрики с добавками примеси с малой шириной запрещенной зоны. Однако в любом случае требуется воспроизводимость характеристик проводимости. [5]
При использовании диэлектриков в качестве диэлектрических материалов по отношению к внешним воздействиям учитываются такие характеристики, как нагревостойкость, стойкость к термоударам, холодостойкость, дугостой-кость, химостойкость, радиационная стойкость, коропостойкость, трекинго-стойкость, влагостойкость, водостойкость, водопоглощение, тропикостой-кость, плеснестойкость, вдагопо ( лощение и старение диэлектрика. [6]
Изготовление конденсаторов с использованием диэлектриков на базе стеклоэмали и стеклокерамики производится по двум типовым технологическим процессам, отличающимся способом формирования конденсаторного диэлектрика. [7]
Пересечения, изготовленные с использованием сэндвичных диэлектриков, характеризуются меньшим числом проколов и более высокой надежностью. Среди наиболее часто используемых комбинаций диэлектрических материалов в первую очередь следует упомянуть пары: А12О3 - SiO3; A12O3 - SiO2; A12O3 - ПАК-1. Необходимо отметить, что применение многослойных диэлектриков без уменьшения плотности компоновки ( за счет неточного совмещения слоев) наиболее эффективно при использовании принципов самосовмещения при последовательном нанесении материалов. Определенный интерес представляют ультрамногослойные диэлектрики, получаемые напылением из двух поочередно перекрываемых испарителей. Пленки такого типа имеют очень высокую надежность, однако существует ряд технологических ограничений. [8]
В основе технологии изготовления ДПП лежит использование фоль-гированных диэлектриков. Применяется так называемый комбинированный метод изготовления ДПП, который сравнительно прост и в то же время обеспечивает достаточно высокое качество печатных плат. [9]
Основным подходом к уменьшению значения / является использование подзатворных диэлектриков с ВДП. [10]
Для УТ 90 и 65 нм проблема утонения диффузионного барьера усложняется использованием высокопористых диэлектриков с НДП и УНДП ( low k dielectrics и ultra low k dielectrics), имеющих развитую ( шершавую) поверхность боковых стенок топологического рельефа. По данным работы [49] диффузионный барьер в 30 нм поглощает для УТ 90 нм 15 %, а для УТ 65 нм 38 % площади поперечного сечения медных шин и, таким образом, повышает их сопротивление выше допустимого уровня. [11]
В табл. 1 показано уменьшение размеров, которое может быть достигнуто при использовании тефлонового диэлектрика, и то теоретическое затухание, которое ожидалось с этим материалом для волноводов, заполненных воздухом и диэлектриком. Из этой таблицы очевидно, что при умень шении размеров приблизительно на 60 % теоретически можно еще удовлетворить установленным требованиям на затухание. [12]
Несимметричные полосковые волноводы с твердым диэлектриком ( рис. 1.1 6) технологичны, имеют простую конструкцию, а при использовании диэлектрика с большим значением относительной диэлектрической проницаемости е обладают также и меньшими по сравнению с симметричными потерями на единицу длины волновода. [13]
Симметричные полосковые волноводы с твердым диэлектриком ( рис. 1.1 е) обладают меньшими по сравнению с несимметричными потерями на излучение при использовании диэлектрика с малой диэлектрической проницаемостью. [14]
Симметричные полосковые волноводы с твердым диэлектриком ( рис. 1.1 в) обладают меньшими по сравнению с несимметричными потерями на излучение при использовании диэлектрика с малой диэлектрической проницаемостью. [15]
Страницы: 1 2 3