Использование - диэлектрик
Cтраница 2
 |
Зависимость механических свойств полиэтилена низкой.| Зависимость предела прочности при растяжении АГ-4С ( однонаправленного от скорости нагружения. [16] |
Тангенс угла диэлектрических потерь ( tg 8) характеризует дис-сипативные свойства диэлектрика, находящегося в электрическом поле и, следовательно, возможность использования диэлектрика в высокочастотных полях. Определяется по ГОСТу 6433 - 65 при частоте 50 гц и по ОСТ НКТП 3075 при частоте 106 гц. [17]
 |
Зависимость емкости МДП-системы от напряжения смещения. [18] |
Необходимо отметить, что в серийно выпускаемом в общепромышленных целях метилтриацетоксисилане содержатся следующие примеси: неполностью отогнанный хлористый ацетил, продукты неполного ацетилирования метилхлорсилана и др. При использовании данного диэлектрика в качестве пассивирующего покрытия силовых полупроводниковых приборов он подвергался дополнительной перегонке в вакууме. [19]
Температура ti ( рис. 64), при которой начинается увеличение потерь, обусловленных проводимостью диэлектрика, будет тем выше, чем выше значение удельного сопротивления диэлектрика при нормальной температуре; поэтому вопрос о снижении потерь в конденсаторах при высоких рабочих температурах, особенно при их использовании в области низких частот, в значительной степени определяется возможностью использования диэлектриков с высоким удельным сопротивлением. [20]
Чем однороднее электрическое поле, тем лучше используется диэлектрик. Коэффициент использования диэлектрика определяют отношением наименьшей напряженности поля к наибольшей в рассматриваемой конструкции. [21]
 |
Полосковая линия. [22] |
Фазовая скорость распространения волны в волноводе с воздушным заполнением равна скорости света с, а длина волны в нем Х 0 с / / 0, где / - частота колебаний СВЧ. При использовании диэлектрика с большим значением диэлектрической проницаемости е фазовая скорость распространения волны в линии Кф с / еЭф, где еэф - эффективная диэлектрическая проницаемость, зависящая от е и геометрии линии, с-скорость света. Уменьшение скорости распространения волны приводит к уменьшению длины волны и обусловленной этим возможности примерно трех - и четырехкратного сокращения размеров пассивных структур, геометрические размеры которых кратны длине волны. [23]
Выше было отмечено, что для наиболее прочной синтетической пленки ПЭТФ удалось получить нижний предел толщины, равный 3.8 мкм, для других типов пленок он еще выше, порядка 6 - 8 мкм и больше. При таких толщинах использование диэлектрика при номинальных напряжениях, требующихся для малогабаритной аппаратуры с полупроводниковыми приборами, является еще неполным, так как фактические значения Е а оказываются ниже допустимых. Иными словами, возникает возможность дополнительного снижения толщины диэлектрика и соответственного улучшения удельных характеристик конденсатора. [24]
Для увеличения чувствительности могут применяться усилители с отрицательной обратной связью. Повышение чувствительности при использовании диэлектриков с большим е, чем воздух, связано со значительными трудностями. Экспериментальные исследования в этом направлении, проделанные автором, показывают, что применение масел с малым г не дает существенного эффекта, а жидкости с большим е, которые можно было бы использовать, обладают в то же время значительной проводимостью. [25]
Как видим, приведенные соотношения не учитывают изменений, происходящих в диэлектрике. Для аппаратуры длительной эксплуатации при использовании диэлектриков в электрических полях необходимо проверить их стойкость ко всем воздействующим факторам. [26]
Радиационной стойкостью материалов называется степень сохранения электрических, механических и других свойств после действия на диэлектрики корпускулярных или волновых радиоактивных излучений высокой энергии. Радиационная стойкость учитывается в случае: использования диэлектриков в зоне сильного действия излучений; при использовании радиоактивных излучений для синтеза, полимеризации и обработки материала. [27]
Изменение влажности окружающей среды приводит к изменению свойств диэлектриков схемы гетеродина, что, в свою очередь, увеличивает нестабильность частоты. Уменьшение нестабильности в таких случаях достигается использованием влагостойких диэлектриков, а при необходимости - применением герметизации блока гетеродина. [28]
Конструкция конденсаторов с твердым неорганическим диэлектриком резко упрощена в связи с использованием диэлектрика в качестве основы конструкции, на которой закрепляются обкладки. В большинстве случаев обкладками конденсаторов служит тонкий слой металла, нанесенный распылением. Защита от влажности часто осуществляется только лаковым покрытием. [29]
Некоторые из этих методов чувствительны к частоте. В настоящей работе описывается метод получения круговой поляризации в широком диапазоне частот путем использования искусственного анизотропного диэлектрика. [30]
Страницы: 1 2 3