Использование - диэлектрик
Cтраница 3
Эта емкость опрет деляется относительной диэлектрической проницаемостью и толт щиной слоя диэлектрика под затвором. Использование диэлектрика с большей относительной диэлектрической проницаемостью приведет к увеличению крутизны характеристики, но одновременно увеличатся и паразитные емкости между затвором и стоком, между затвором и истоком, что отрицательно повлияет на частотные свойства полевого транзистора. Уменьшение толщины слоя диэ лектрика под затвором может также привести к недопустимому уменьшению пробивного напряжения этого слоя между затвором и стоком. [31]
В описываемом здесь методе используются секции волноводов, содержащие искусственный анизотропный диэлектрик, размещенный таким образом, чтобы на дальнем от источника энергии конце секции получить круговую поляризацию, при этом поперечное сечение волновода не обязательно должно иметь двойную симметрию. Однако если волновод имеет квадратное или круглое сечение, то круговая поляризация более стабильна. Область использования анизотропного диэлектрика распространена далее на поляризационные решетки, с помощью которых можно регулировать поляризацию волн, излучаемых линейно поляризованной антенной. [32]
 |
Динамический запоминающий элемент на трех транзисторах с каналами р-типа. [33] |
Одним из существенных достоинств ЗУ на магнитных накопителях является их энергонезависимость. Информация на ЗУ с такими накопителями сохраняется при отключенных источниках питания. В процессе разработки энергонезависимых ЗУ на МДП транзисторах хорошие результаты были получены при использовании двухслойных диэлектриков. Слой окиси кремния толщиной 1 - 2 нм выращивается на поверхности кремниевой подложки. Второй диэлектрический слой, выполненный из нитрида кремния, имеет толщину 30 - 60 нм. В ловушках, образующихся на границах раздела этих двух слоев, накапливается заряд, полярность которого влияет на пороговое напряжение транзистора. Изменение полярности заряда происходит в момент записи. Импульс записи амплитудой 35 В вызывает туннелирование зарядов через тонкий слой окисла кремния в подложку. Импульс обратной полярности возвращает систему в исходное состояние. Считывание информации производится импульсами амплитудой - 6 В. Время энергонезависимого хранения информации в МНОП ЗУ уже достигает около года. Быстродействие ЗУ в режиме считывания составляет 500 не. [34]
С увеличением частоты возрастают активные потери в металле и диэлектрике, что приводит к быстрому затуханию волны, бегущей вдоль линии. Особенно сильное затухание наблюдается в кабелях со сплошным диэлектрическим наполнением. Применение таких линий, начиная с волн сантиметрового диапазона, становится затруднительным даже при использовании лучших диэлектриков, обладающих наименьшим углом диэлектрических потерь. [35]
Первый используется для получения односторонних печатных плат, внутренних слоев МПП и гибких печатных шлейфов. Его преимуществом является высокая точность геометрии проводников из-за отсутствия процессов гальванического осаждения меди. Вторым методом получают ДПП и МПП из фольгированного травящего диэлектрика. Способность диэлектрика к подтравливанию особенно важна для МПП, где от этого зависит надежность межслойных соединений. ДПП выполняются без использования травящегося диэлектрика. Печатные платы характеризуются плотностью монтажа, которая в зависимости от ширины проводников и зазоров может быть ( табл. 2.3) трех классов. Недостатками субтрактивных методов являются невозможность получения проводников с шириной менее 150 мкм ( табл. 2.3) и большой отход меди при травлении. [36]
Низкая электрическая проводимость диэлектриков объясняется низкой концентрацией носителей тока и их малой подвижностью. Носителями тока в диэлектриках являются электроны, ноны и молионы ( коллоидные частицы); различают соответственно электронную, ионную и ыолионнуга электрическую проводимость. Диэлектрики имеют более широкую запрещенную зону энергий, чем полупроводники, и соответственно более низкую электрическую проводимость. Ионная электрическая проводимость сопровождается явлением электролиза. Электрическая проводимость диэлектриков приводит к токам утечки, играющим отрицательную роль при использовании диэлектриков в качестве изолирующих материалов. Ток утечки обусловлен приложением не изменяющегося во времени электрического напряжения. С течением времени ток спадает, приближаясь к сквозному токудиэлектрика - постоянной составляющей тока утечки. [37]
Низкая электрическая проводимость диэлектриков объясняется низкой концентрацией носителей тока и их малой подвижностью. Носителями тока в диэлектриках являются электроны, ионы и молионы ( коллоидные частицы); различают соответственно электронную, ионную и молионную электрическую проводимость. Диэлектрики имеют более широкую sanpeatemiyio аону энергий, чем полупроводники, и соответственно более низкую электрическую проводимость. Ионная электрическая проводимость сопровождается явлением электролиза. Электрическая проводимость диэлектриков приводит к токам утечки, играющим отрицательную роль при использовании диэлектриков в качестве изолирующих материалов. Ток утечки обусловлен приложением не изменяющегося во времени электрического напряжения. С течением времени ток спадает, приближаясь к сквозному току диэлектрика - постоянной составляющей тока утечки. [38]
В качестве эффективного пьезоэлектрика используются CdS, ZnO, LiNbO, в качестве полупроводника Ge, Si, GaAs. Толщина слоя полупроводника порядка 1 мкм, а длина около 1 см. Для снижения питающего напряжения слой полупроводника может разбиваться по длине на несколько участков, которые включаются параллельно. Для уменьшения потерь пленка полупроводника должна иметь минимум дефектов и максимально ровную и чистую поверхность. Этими качествами в большей степени обладают эпитаксиальные пленки. Так как не на всяком пьезоэлектрике выращивается эпитаксиальная пленка из нужного полупроводника, то пленка может выращиваться на диэлектрике, обеспечивающем ее эпи-таксиальный рост, а затем прикладываться свободной поверхностью к пьезоэлектрику. Использование диэлектрика с хорошей теплопроводностью одновременно позволяет увеличить напряжение, подаваемое на полупроводник. [39]
 |
Характеристич кривые бесконтактных высокочастотных ячеек. 1, 1, 3 зависимости обратных величин соотв активной, емкостной и индуктивной составляющих 2 от 18х. [40] |
Измерения проводят с применением емкостных ( С -) или индуктивных ( Ь -) ячеек, представляющих собой сосуды из диэлектрика, к-рые соответственно имеют с внеш. Электроды С-ячейки или катушка индуктивности соединяются с высокочастотным генератором. Электропроводность электролита при токе высокой частоты обусловлена не только реальным перемещением зарядов, но в большей мере потерями электрич. Это отражается на реактивной составляющей X полного сопротивления ( импеданса) цепи 22 К2 X2, где / - активное сопротивление, X Хь - Хс, Хь и Хс - соотв. Индуктивные ячейки используют обычно для измерения сравнительно высокой электропроводности, а емкостные-для измерения низкой электропроводности. Чувствительность измерения повышается в С-ячейках при использовании диэлектриков с высокой диэлектрич. Применяются также комбинированные ЬС-ячейки, КС - и / Л ячейки с повыш. При высокочастотном титровании необходимо предварительно выбирать условия с учетом характеристич. Чем больше интервал между значениями х - 0 и х - оо, в к-ром эта зависимость линейна, тем удобнее ячейка для измерений. Кроме того, чувствительность измерений различна на разл. [41]
Страницы: 1 2 3