Кристаллизационное давление

Cтраница 1

Субиндивиды разной формы в теле материнского кристалла. [1]

Кристаллизационное давление, развивающееся по индукционным поверхностям между основным кристаллом и блоком, создает новые напряжения, и возникают новые блоки. Таким образом, происходит прогрессивное нарастание блочности, причем каждый блок по-прежнему растет как самостоятельный кристалл. Такой процесс называется расщеплением кристаллов. [2]

Кристаллизационное давление возникает в результате фазового превращения на поверхности растущего кристалла. Поэтому энергетически оно связано с энергией, высвобождаемой при фазовом превращении. Рассматривают полное и частичное кристаллизационные давления. Последнее соответствует условиям, при которых не достигается предельное значение кристаллизационного давления. Наибольшее давление ( отталкивание) создает равновесная грань, растущая по слоевому механизму роста. Наименьшее отталкивание наблюдается при росте кристалла по нормальному механизму. [3]

Кристаллизационное давление, по мнению П. А. Ре-биндера и Е. Е. Сегаловой, является причиной возникновения собственных напряжений, внешним проявлением которых являются сбросы прочности ( пластической) структуры до завершения гидратации. [4]

Кристаллизационным давлением может сопровождаться выпадение некоторых малорастворимых сульфидов. [5]

Найдем максимальное кристаллизационное давление, действующее на грань кристалла. Рассмотрим случай кристаллизации в системе газ - твердое. Газ находится в виде тонкой прослойки между стенкой и кристаллизуемым твердым веществом или в виде прослоек в пористом теле. [6]

Таким образом, кристаллизационное давление обусловливает ограниченное внедрение примеси в растущий кристалл. Количественно этот процесс характеризуется коэффициентом распределения. Коэффициент распределения зависит от размеров и кри-сталлохимического сходства внедряющихся атомов примеси с частицами кристалла. Чем больше это сходство, тем меньше кристаллизационное давление, тем легче примесь входит в кристалл. [7]

Эти добавки создают кристаллизационное давление в результате кристаллизации труднорастворимых гидрооксидов при гидратации. Простая бимолекулярная реакция гидратации оксидов легко управляема, что позволяет регулировать ее скорость, останавливая на нужной стадии твердения. Необходимо, чтобы основная часть расширения происходила после продавливания тампонажного раствора в заколонное пространство скважин. [8]

Формула для расчета кристаллизационного давления довольно полно учитывает многообразие условий его развития при росте кристалла в сторону препятствия. Она отражает влияние вида материала ( х), размера грани кристалла - перемычки в зазоре между растущим кристаллом и препятствием ( а) и степени пресыщения раствора ( а) на абсолютные значения кристаллизационного давления. [9]

Формула для расчета кристаллизационного давления учитывает многообразие условий его развития при росте кристалла в сторону препятствия: Она отражает влияние вида материала ( z), размера грани кристалла - перемычки в зазоре между растущим кристаллом и препятствием ( а) и степени пересыщения раствора ( а) на. [10]

Причиной напряжений может быть кристаллизационное давление, возникающее при срастании кристаллов со стенками сосуда, соседними кристаллами, при обрастании кристаллоносца и нарастании на подложку. Кристаллизационное давление может достигать 20 - 40 кгс / см2, зависит от пересыщения, кристаллографической ориентировки относительно препятствия и материала обрас-таемого кристаллом препятствия. Последнее имеет особенно большое значение. Например, в качестве материала для изготовления кристаллоносцев и платформ - подложек из-за химической инертности часто используют фторопласт. [11]

Схема массопередачи при. [12]

Рост кристалликов может сопровождаться возникновением кристаллизационного давления, которое при определенных условиях [55, 78, 51] достигает весьма больших значений, что и приводит к разрушению исходного материала. [13]

В большинстве строительных расширяющихся цементов используется кристаллизационное давление при образовании гид-росульфоалюмината кальция в трехсульфатной форме. В этих цементах расширяющей добавкой могут быть гипс ( в гипсоглиноземистом цементе), смесь гипса с высокоглиноземистым шлаком, смесь гипса со специально приготовленным алюминатом кальция, специально приготовленный безводный сульфоалюминат кальция. [14]

В большинстве строительных расширяющихся цементов используется кристаллизационное давление трехсульфатной формы гидросульфоалюмината кальция. [15]

Страницы: 1 2 3 4