Кристаллизационное давление
Cтраница 2
В большинстве строительных расширяющихся цементов используется кристаллизационное давление гидросульфовлюминв-тв квльция трехсульфетной формы. [16]
Внутренние напряжения обусловливаются несколькими причинами: кристаллизационным давлением, осмотическим давлением или перекристаллизацией первоначально возникших гидратных фаз. [17]
Процесс срастания рассматривается далее с учетом проявления кристаллизационного давления. [18]
Показано, что в зависимости от величины кристаллизационного давления и характера процесса срастания во времени прочность кристаллизационной структуры может изменяться более-чем на порядок. [19]
 |
Внешний вид поперечного сечения образцов I, 2, 3 и. констант иновского шлака. [20] |
Прочность, вероятно, снижается вследствие роста кристаллизационного давления за счет роста новообразований. [21]
Таким образом, получили выражение (1.217) для максимального кристаллизационного давления на грань кристалла, при котором кристаллизация прекращается. [22]
С другой стороны, образование контактов происходит с преодолева-нием кристаллизационного давления и поэтому сопровождается возникновением растягивающих напряжений в кристаллических сростках, которые обусловливают уменьшение прочности кристаллизационной структуры. Таким образом, впервые было доказано существование некоторой оптимальной структуры. [23]
С другой стороны, образование контактов происходит с преодолева-нием кристаллизационного давления и поэтому сопровождается возникновением растягивающих напряжений в кристаллических сростках, которые обусловливают уменьшение прочности кристаллизационной структуры. Таким образом, впервые было доказано существование некоторой оптимальной структуры. [24]
С другой стороны, образование контактов происходит с преодолева-нием кристаллизационного давления и поэтому сопровождается возникновением растягивающих напряжений в кристаллических сростках, которые обусловливают уменьшение прочности кристаллизационной структуры. Таким образом, впервые было доказано существование некоторой оптимальной структуры. [25]
Но в дальнейшем, камень также разрушается от воздействия кристаллизационного давления. Это обязательное правило насыщения жидкости затворения справедливо и при цементировании других солей. В дальнейшем, явление осмоса будет наблюдаться в контактной зоне, причем, наиболее значительное в первых двух случаях. [26]
По данным А. Ф. По лака ( 1988), величина кристаллизационного давления растущего кристалла зависит от его состава и свойств препятствия. Она пропорциональна коэффициенту физикохимической неоднородности кристалла препятствия. Если материал препятствия очень отличается от растущего кристалла, то кристаллизационное давление будет иметь максимальную величину, так как физикохимическая неоднородность будет равна единице. [27]
 |
Изменение удельной поверхности ксерогелей во времени гидротермальной обработки их гидрогелей в нейтральной среде. [28] |
Необходимо также помнить, что перекристаллизация в дисперсных структурах приводит к возникновению кристаллизационного давления, которое является причиной саморазрушения дисперсных тел. [29]
АО) др - свободная энергия кристалла, оказывающего ( и испытывающего) кристаллизационное давление Ар; ( AG) g - то же свободно реагирующего кристалла; А У - изменение молярного объема при кристаллизации. [30]
Страницы: 1 2 3 4