Cтраница 2
![]() |
Распределение примесей в транзисторных структурах без встречной диффузии ( а, со встречной диффузией ( б и с эпитаксиальным коллектором ( в. [16] |
Применение метода встречной диффузии дает выигрыш в величине сопротивления насыщения, или в уменьшении остаточного напряжения на коллекторе в 4 - 8 раз. [17]
Для уменьшения встречной диффузии рекомендуется использовать невысокую концентрацию электролита в геле. [18]
Основные носители при встречной диффузии усиленно реком-бинируют в приконтактных областях p - n - перехода. [19]
Основные носители при встречной диффузии рекомбинируют в при-контактных областях p - n - перехода. [20]
Влияет ли скорость встречной диффузии ионов на суммарную скорость реакции. Такое влияние может иметь место только в случае исключительно быстрых реакций и, вероятно, не сказывается на величинах скорости рассматриваемых здесь процессов. [21]
Эта реакция основана на встречной диффузии в электрическом поле антигенов и антител и появлении внутри прозрачного геля видимого преципитата. В агаровом или агарозном геле делают лунки диаметром 2 - 3 мм, причем расстояние между лунками для сыворотки и АГ должно составлять 5 - 6 мм. Лунки для сыворотки располагают ближе к аноду, а для АГ - к катоду. Реакцию проводят с несколькими разведениями АГ, продолжительность электрофореза - 90 мин. Результаты реакции учитывают сразу же после окончания электрофореза, отмечая количество и локализацию линий преципитации при сравнении их с контрольной тест-системой. [22]
При цинковании в результате встречной диффузии железа и цинка образуется диффузионный слой, состоящий последовательно из твердого раствора цинка в а-железе, твердой Г - фазы на базе соединения Fe3Zni0, сравнительно вязкой 01-фазы на базе соединения FeZn7, хрупкой - фазы на базе FeZni3 и вязкой т) - фазы, содержащей почти чистый цинк. Скорости роста этих фаз и конечные структуры диффузионного слоя определяются технологическим процессом и составом покрываемых изделий. Например, для цинкования рекомендуют кипящую бескремнистую сталь, так как присутствие кремния способствует образованию хрупких слоев. [23]
Джонсон и Стюарт исследовали встречную диффузию азота и водорода через образцы окиси алюминия с различным распределением пор. [24]
Диффузия одного газа вызывает встречную диффузию второго газа. [25]
Естественно, при этом начинается встречная диффузия. По мере того как биополимер начинает концентрироваться в нижних слоях раствора, поток диффузии усиливается и в конечном итоге потоки седиментации и диффузии полностью уравновешивают друг друга. [26]
В работе [167] измерены характеристики встречной диффузии нескольких жидких углеводородов в Na -, Ca -, NH4 - и Се-формах цеолита типа Y. До сих пор получено очень мало подобных результатов, хотя они могут оказаться важными для понимания катализа. Диффузионные измерения проводили в жидкой фазе с цеолитом, предварительно насыщенным изучаемым углеводородом. Цеолит, насыщенный углеводородом, загружали в колбу, в которую предварительно помещали известное количество другого жидкого углеводорода, смесь перемешивали и через определенные промежутки времени отбирали пробы. Коэффициенты диффузии 1-ме-тилнафталина при его десорбции в кумол с разных ионообменных форм цеолита различались на два порядка, что объясняется различием в зарядах, размерах и расселении катионов. Например, редкоземельные катионы занимают преимущественно недоступные для адсорбированных молекул места в - полостях и не мешают диффузии больших молекул углеводородов. Напротив, ионы натрия занимают места 8ц на стенках больших полостей и поэтому, очевидно, взаимодействуют с диффундирующими молекулами углеводорода. Из коэффициентов диффузии, полученных из начальных скоростей, вычислены начальные энергии активации. [27]
Масамуне и Смит [200] изучали встречную диффузию газов при атмосферном давлении через катализатор, спрессованный из серебряного порошка. Последний получали разложением фталата серебра или других органических соединений его в токе азота. Очевидно, при этом получалась существенно иная пористая структура серебра. [28]
В контактирующей области двух металлов протекает встречная диффузия. Вероятность перехода диффундирующего атома в соседнее положение равновесия для разных металлов различна, так как их парциальные коэффициенты диффузии не равны. Появляется результирующий поток вещества в направлении диффузии металла с более высоким значением парциального коэффициента, и противоположно направленный поток вакансий. [29]
![]() |
Распределение примесей в транзисторной структуре, изготовленной с помощью встречной диффузии. [30] |