Встречная диффузия
Cтраница 3
Однако практически добиться удовлетворительных результатов при одностадийной встречной диффузии не удается. Причина этого, по-видимому, заключается в том, что уровень структурных нарушений, вносимых в кремний при одностадийной и при двухстадийной встречной диффузии, различается. [31]
При проведении операций, связанных со встречной диффузией фосфора ( двухстадийной диффузии и последующей шлифовки) возникают те же трудности, что и при изготовлении транзисторов с диффузионными эмиттером и коллектором: необходимо в сумме по двум операциям диффузии и по двум операциям механической обработки ( шлифовке до встречной диффузии и шлифовке после встречной диффузии) обеспечить высокую точность. [32]
Двухслойность однофазной окалины может быть объяснена одновременной встречной диффузией реагентов ( металла и окислителя): наружный слой окалины образуется вследствие диффузии металла наружу, а внутренний - вследствие диффузии окислителя внутрь. Однако при окислении указанных выше металлов установлено, что скорость диффузии металла через окалину на несколько порядков выше, чем окислителя. [33]
 |
Принципиальная схема действия диффузионного насоса. 1-трубка с парами ртути. 2-щель. 3-эвакуируемый сосуд. 4-холодильник.| Принципиальная схема действия диффузионного пароструйного насоса. [34] |
В конденсационных насосах используется не только принцип встречной диффузии, но и динамическое давление струи пара и явление адсорбции на металлической поверхности. [35]
Как уже отмечалось, основные носители при встречной диффузии усиленно рекомбинируют в приконтакт-ных областях. Уход основных носителей и их рекомбинация приводят к образованию в области металлургической границы некоторого слоя, обедненного подвижными носителями. Этот слой обладает относительно малой удельной проводимостью и поэтому называется запирающим слоем. Так как концентрация дырок в направлении от р-области к n - области монотонно убывает, а концентрация электронов проводимости возрастает, то в запирающем слое должно быть сечение ab, в котором pn-nipi, что характерно для собственного полупроводника. [36]
Как уже отмечалось, основные носители при встречной диффузии усиленно рекомбинируют в приконтакт-ных областях. Уход основных носителей и их рекомбинация приводят к образованию в области металлургической границы некоторого слоя, обедненного подвижными носителями. Этот слой обладает относительно малой удельной проводимостью и поэтому называется запирающим слоем. [37]
Таким образом, характерно, что при встречной диффузии реагентов, когда ионы идут навстречу друг другу, изменения потенциала проявляются значительно резче и с более сильно выраженным максимумом, чем в случае однонаправленной диффузии, когда фактически происходит движение только одного иона, а другой уже находится в среде. [39]
Осадочные хроматограммы йодистого свинца, полученные при встречной диффузии реагентов в речном песке при температуре 180 С и давлении 70 атм, развиваются с более резкими контурами; зона разделяется быстрее, чем при обычных условиях. [40]
Этот градиент создает возможность диффузии металла и встречной диффузии кислорода через окалину. Из-за наличия вакансий в катионной подре-шетке окисла облегчается диффузия ионов металла через окалину к ее наружной поверхности в тем большей степени, чем выше концентрация вакансий. Диффузия же кислорода в глубь окалины и дальше - к неокис-ленной металлической сердцевине осуществляется перемещением его атомов по междоузлиям решетки или по границам зерен окислов либо его молекул по нарушениям сплошности слоев окалины. [41]
 |
Прибор для получения подпетого водорода. [42] |
Если же скорость пропускания водорода меньше скорости встречной диффузии паров иода, последние конденсируются на стенках трубки, находящейся вне печи. [43]
По всей вероятности и воздушные пленки образуются путем встречной диффузии нейтральных атомов алюминия и кислорода. [44]
 |
Влияние давления на по-ток гелия в азоте. [45] |
Страницы: 1 2 3 4