Cтраница 4
Отани, Вакао и Смит [242] исследовали встречную диффузию водорода и азота через таблетки бемита и стекла викор при некотором градиенте давления азота. [46]
При этом условии общая скорость становится равной скорости встречной диффузии ионов и можно сказать, что реакция контролируется диффузией. [47]
При взаимодействии железа с расплавленным цинком в результате встречной диффузии атомов ( ионов) железа и цинка на границе твердое железо - расплавленный цинк образуется покрытие, состоящее из ряда слоев железоцинковых фаз. Последовательность образования этих слоев при температуре расплава 450 С, начиная от железа, следующая ( рис. 50): 1) фаза а-твердый раствор цинка в железе с содержанием при комнатной температуре около 95 % ( вес. [48]
Высокие температуры процесса эпи-таксии обусловливают побочный процесс - встречную диффузию примесей из растущей пленки в подложку и наоборот. Результатом этого является размытие р-п-перехода: вместо резкого ступенчатого образуется более или менее плавный переход. [49]
В то же время, очевидно, что при одностадийной встречной диффузии общее число структурных нарушений будет больше, чем в проведенной на ту же глубину двухстадийной диффузии: в первом случае область, где концентрация достигает 1020 ат / см3, будет иметь толщину гораздо больше, чем во втором. Вполне вероятно, что при двухстадийной встречной диффузии концентрация фосфора всюду в пластине снижается настолько быстро до величины, меньшей чем 1020 ат / см3, что дополнительно к дислокациям, возникшим в процессе первой стадии, новые структурные дефекты не возникают. Возникшие в процессе первой стадии диффузии дефекты скорее всего не достигают той области, где впоследствии будет создаваться транзисторная структура. Иное дело при одностадийной диффузии: очевидно, что в этом случае вероятность того, что до высокоомного слоя дойдет относительно много дислокаций, будет значительно больше. Приведенные соображения позволяют в какой-то степени объяснить, почему одностадийная встречная диффузия не позволяет получить удовлетворительных результатов. [50]
Мы рассматриваем диффузию нейтральных молекул снизу и, естественно, встречную диффузию, или падение атомов и других частиц. [51]
Исходя из этого, наиболее интенсивно протекает диффузия водорода, а встречная диффузия азота и кислорода протекает замедленно, благодаря чему в трубе достаточно быстро образуется вакуум, достигающий значительной величины. [52]
С целью уменьшения Тн в дрейфовых транзисторах методами эпитаксиального наращивания и встречной диффузии получают очень тонкие ( 5 - 8 мк) высокоомные слои в теле коллектора. Величины Тн для дрейфовых транзисторов с толстым высокоомным слоем в теле коллектора ( 70 - 100 мк) лежат в диапазоне 0 5 - 1 мсек. [53]