Движение - носитель
Cтраница 2
 |
Конструкция структуры сплавного транзистора.| Конструкция структуры транзистора, изготовленного методом диффузии. [16] |
Увеличение скорости движения носителей в базовой области, обусловленное наличием встроенного электрического поля, приводит к тому, что дрейфовые транзисторы обладают повышенным быстродействием и эффективно работают на высоких частотах. В частности, формула для времени пролета в дрейфовых транзисторах имеет вид ra / aW, где та - время пролета в бездрейфовом транзисторе, т.е. в Ыэ / к раз меньше, чем в бездрейфовом транзисторе. [17]
Диффузионный характер движения носителей в базе и собственная статическая емкость амит-терного перехода учитывается емкостью СЭб. Эб, определяющая активную составляющую проводимости эмиттер-база. [18]
Конечное время движения носителей в базе обусловливает значительное запаздывание сигнала при передаче его через У. [20]
Случайный характер движения носителей в полупроводниках обусловливает появление теплового шума, связанного с условиями теплового равновесия. Этот вид шума существует как при наличии электрического поля, так и без него. При приложении к полупроводнику электрического поля возникает дробовой шум, напоминающий аналогичное явление в электровакуумных приборах. Однако природа этого шума в полупроводниках имеет свои особенности. [21]
Хаотический характер движения носителей вызван столкновениями с атомами кристаллической решетки, совершающими тепловые колебания. Этот процесс характеризуется частотой соударений ( или временем между соударениями), длиной свободного пробега и относительным изменением кинетической энергии носителей за одно столкновение Д WIW. Для упругих столкновений AWYW 1, а изменение направления движения или импульса оказывается сильным. [22]
Увеличение скорости движения носителей через базу в первую очередь уменьшает пролетное время. Влияние дрейфового поля проявляется и в выравнивании скоростей носителей. Разброс в скоростях в этом случае оказывается не так высок, как в случае чисто диффузионного движения, где все определяется только тепловыми скоростями. В результате падение коэффициента переноса р до уровня 0 707 должно произойти на частоте, существенно превышающей частоту шв бездрейфового триода с той же толщиной базы. [23]
Нестабильность скорости движения носителя записи, вызванную сдвигом постоянной составляющей скорости, на практике сводят к допустимому минимуму двумя способами. При первом слособе применяют синхронные реактив-но-гистерезисные электродвигатели с повышенной устойчивостью против колебаний напряжения питающей сети, а также изготовляют детали, непосредственно влияющие на скорость движения носителя, по второму или по первому классу точности ( а в отдельных случаях и выше) или применяют способ индивидуального подбора этих деталей. Этот способ применяется в простой профессиональной, специальной и высококачественной любительской аппаратуре. [24]
В аморфных полимерах движение носителей обычно является активированным процессом. Кроме того ( как это уже отмечалось выше), поскольку времена пролета в них или не могут быть точно измерены, или вообще не различимы, прямые измерения под-вижностей невозможны. Для того чтобы понять, как в этих веществах происходит макроскопический перенос заряда, нам представляется полезным рассмотреть и классифицировать основные механизмы переноса, имеющие активационный характер. [25]
 |
Примеры импульсов, полученных в опытах с тремя электродами. [26] |
Левая сторона - движение положительных носителей; ток возрастает вверх от нижней линии. Правая сторона - движение отрицательных носителей; ток возрастает вниз от верхней линии. Верх - высокое электрическое поле у освещенного электрода, низ - малое электрическое поле у освещенного электрода. Каждое большое деление на горизонтальной оси равно 100 сек. [27]
 |
Векторная диаграмма токов ( а и эквивалентная схема транзистора с общим эмиттером ( б на высоких частотах. [28] |
Для уменьшения времени движения носителей в базе толщину ее стремятся сделать возможно меньшей. Лучшими в этом отношении являются диффузионные и поверхностно-барьерные германиевые транзисторы. [29]
Дрейфовым называют транзистор, движение носителей в базе которого происходит как путем диффузия, так и из-за дрейфа в электрическом поле базы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5