Cтраница 5
Это обусловлено тем, что время движения носителей электричества от эмиттера к коллектору при большой частоте становится соизмеримым со временем изменения подаваемого на транзистор сигнала, и распределение их в базе оказывается неравномерным. В результате изменения направления диффузионного тока в отдельных областях базы часть носителей начинает двигаться не от базы к коллектору, а от базы к эмиттеру. В низкочастотных сплавных транзисторах влияние частоты на работу прибора начинает сказываться при частотах в несколько десятков килогерц, а в высокочастотных диффузионных транзисторах - при частотах в сотни мегагерц. [61]
Искажения, вносимые периодическими колебаниями скорости движения носителя записи, называют паразитной модуляцией или детонацией. [62]
Направление мгновенной скорости записи относительно направления движения носителя записи. В зависимости от направления различают продольную и наклонную запись. [63]
В полевом триоде роль конечного времени движения носителей еаряда ничтожна, и существенным, с точки зрения влияния на внешние характеристики схемы при псвышенных частотах, оказывается наличие емкостей между всеми его электродами ( рис. 4.13, г): Сзи - между затвором и истоком ( входная eMKQCjb Си) ( Сш - между истоком и стоком ( выходная емкость СВЬП. [64]