Cтраница 3
![]() |
Обзорные теплопеленгаторы. [31] |
Покадровая развертка осуществляется вследствие движения носителя. [32]
Поскольку мы можем наблюдать движение носителей через кристалл и измерять время, необходимое для этого, можно рассчитать подвижность дрейфа. [33]
![]() |
Распределение носителей в области объемного заряда коллекторного перехода. [34] |
Положим, что скорость движения носителей vp постоянна. Такое предположение основано на том. [35]
![]() |
Распределение носителей в коллекторном переходе. [36] |
Положим, что скорость движения носителей vp постоянна. Такое предположение основано на том, что напряженность электрического поля в коллекторном переходе часто превосходит ту, при которой наблюдается насыщение скорости движения носителей, так что скорость изменяется только в небольших областях у краев перехода. [37]
С увеличением частоты время движения носителей в базе может оказаться соизмеримым с периодом входного напряжения. В этом случае носители, введенные в большом количестве в базу во время действия максимального значения входного напряжения, не успевают еще достичь коллекторного перехода, как напряжение на входе существенно уменьшается. В результате от месте повышенной концентрации носителей начинается диффузия их не только к коллекторному, но и к эмиттерному переходам - число рекомбинаций носителей в области базы увеличивается и доля эмиттерного тока, попадающего в цепь коллектора, уменьшается. [38]
После насыщения транзистора характер движения носителей в базовом переходе несколько изменяется, становится менее упорядоченным. Это приводит к изменению среднего эффективного времени жизни носителей. [39]
![]() |
Эквивалентная схема коллекторной цепи транзистора. [40] |
Положим, что скорость движения носителей vp постоянна. Такое предположение основано на том, что напряженность электрического поля в коллекторном переходе часто превосходит ту, при которой наблюдается насыщение скорости движения носителей, так что скорость изменяется только в небольших областях у краев перехода. [41]
С увеличением частоты время движения носителей в базе может оказаться соизмеримым с периодом входного напряжения. При этом носители, введенные в базу во время действия максимального значения напряжения мвх, не успевают достичь коллекторного перехода, как напряжение на входе существенно уменьшается. В результате от места повышенной концентрации носителей заряда начинается диффузия их не только к коллекторному, но и к эмнттерному переходу - число рекомбинаций носителей заряда в области базы увеличивается, и доля эмиттерного тока, попадающего в цепь коллектора, уменьшается. [42]
Недостатками их являются прерывистость движения носителя и относительно небольшая мощность. [43]
Положим, что скорость движения носителей vp постоянна. Такое предположение основано на том, что напряженность электрического поля в коллекторном переходе часто превосходит ту, при которой наблюдается насыщение скорости движения носителей, так что скорость изменяется только в небольших областях у краев перехода. [44]
При стабилизации фактической скорости движения носителя записи путем уменьшения сдвига и ухода ее постоянной составляющей резко уменьшается или практически исключается паразитное транспонирование ( смещение тональности) записей. Транспонирование записей возникает и при нормальной рабЪте магнитофона, если запись была выполнена на стандартной скорости с верхним ( ДУ) или нижним ( - ДУ) допускаемым отклонением этой скорости, а воспроизведение проводилось на этой же стандартной скорости, но с нижним ( - ДУ) или верхним ( Д1 /) допускаемым отклонением соответственно. [45]