Движение - носитель - ток
Cтраница 1
 |
Расположение энергетических зон примесных полупроводников. [1] |
Движение носителей тока зависит, конечно, от напряженности электрического поля ( как внешнего, так и внутреннего), образуемого электрическими зарядами. [2]
Рассмотрим движение введенных носителей тока ( дырок или электронов) от эмиттера к коллектору. Мы уже отмечали, что при увеличении содержания примесей в исходном германии усилительный эффект слабеет. В общих чертах это можно объяснить, заметив, что примеси препятствуют нормальному движению электронов и дырок, поставляя большое количество избыточных носителей. Избыточные носители либо приводят к слишком большому числу столкновений, либо настолько повышают проводимость материала триода, что управление током коллектора становится мало эффективным. [3]
Рассмотрим теперь движение носителей тока в том случае, когда, кроме электрического, наложено и магнитное поле. [4]
Таким образом, движение носителей тока в транзисторе вызывает появление токов в его внешних цепях. [5]
При рассмотрении динамики движения носителей тока в твердых телах с малой подвижностью носителей постулативно использована модель простейшей ковалентно увязанной полимерной цепи селена [ - Se - ] л, пары атомов которой связаны парноэлектроиными гомеополярными связями. [6]
Такая замена позволяет описывать движение носителей тока в зоне проводимости и валентной зоне одними и теми же зависимостями. [7]
Проследим теперь за направлением движения носителей тока. [8]
Проследим теперь - за направлением движения носителей тока. [9]
Это поле, возникающее в результате движения носителей тока, называют полем Холла. Оно возникает не только в газах, но и в твердых телах. Однако в металлах поле Холла обычно очень мало, и практически его редко можно заметить. В плазме МГДГ поле Холла обычно велико: оно примерно равно или даже больше первоначального поля, индуктирующего его электродвижущую силу. В линейном МГДГ поле Холла повышает потенциал потока газа на выходе из генератора по отношению к его потенциалу на входе. [10]
Явление Холла обусловлено влиянием силы Лоренца на движение носителей тока в проводнике или полупроводнике. Носителями заряда в металле являются электроны, а в полупроводнике - отрицательного заряда - электроны, а положительного - дырки. На верхней грани возникает избыток электронов. Во втором случае под действием силы Лоренца отклоняются положительные заряды. Поэтому направление электрического поля Холла изменяется на противоположное. На верхней грани возникает избыток положительных зарядов. Магнитная сила, действующая на отрицательные и положительные носители, при одинаковом направлении электрического тока и магнитного поля имеет одинаковое направление. [11]
На механизм проводимости низкомолекулярных органических соединений влияет движение носителей тока внутри молекул и между ними. Второе определяет то, что условия перемещения носителей в монокристаллических полупроводниках, поликристаллах и аморфных веществах одного и того же химического строения будут весьма различны. [12]
 |
Частотные характеристики транзистора. [13] |
Зависимость а от частоты определяется тем, что движение носителей тока от эмиттера к коллектору происходит вследствие диффузии, являющейся статистическим процессом. Пути отдельных носителей от эмиттера к коллектору различны, различна и скорость их движения. [14]
 |
Положение образца в магнитном поле. [15] |
Страницы: 1 2 3 4