Движение - носитель - ток
Cтраница 3
Природа флуктуационных изменений токов в сопротивлениях и лампах связана с возможностью хаотического изменения скоростей и направлений движения носителей тока - электронов. В сопротивлениях на направленное движение электронов под действием электрического поля накладывается хаотическое движение электронов за счет их собственных скоростей. В результате этого в каждый момент времени концентрация электронов в отдельных элементах объема сопротивления оказывается различной, что вызывает появление уравнительных токов между этими элементами. Наложение уравнительных токов на ток, созданный приложенной разностью потенциалов, и приводит к появлению флуктуации общего тока через сопротивление. Флуктуации тока создают на сопротивлениях переменное падение напряжения - напряжение шумов. [31]
 |
Полупроводниковые генераторы гармонич. колебаний с внутренней положительной обратной связью на точечных транзисторах и вольтампериые характеристики последних.| Двухтактный полупровод. [32] |
Это достигается тем, что сдвиг фаз, обусловленный инерционностью транзистора ( связанной с диффузионным характером движения носителей тока в базе), компенсируется частично в колебат. В такой схеме применяют плоскостные ( сплавные) и точечные транзисторы. [33]
Если полупроводник изолирован, то с ростом разности потенциалов, вызванной различием температуры полупроводника, внутри последнего возникнет электрическое поле, препятствующее движению носителей тока от горячих участков к холодным. В результате совместного действия разности температур и этого поля в полупроводнике установится равновесие, соответствующее определенной разности потенциалов между нагретым и холодным участками полупроводника. Эта разность потенциалов значительно больше, чем у металлов; она достигает Ш-3 в / град и называется термоэлектродвижущей силой. [34]
За счет разностной концентрации носителей на границе возникает диффузионный ток ( рис. 12.33), пока возникшее барьерное напряжение pi - 90 не остановит движение носителей тока. [35]
 |
Идеализированные характеристики транзистора.| Кривые, выражающие зависимость SK S0, . c от температуры. [36] |
Инерционность носителей тока приводит также к возникновению между первой гармоникой коллекторного тока и колебательным напряжением на контуре фазового сдвига фар, зависящего от времени движения носителей тока. [37]
Инерционность носителей тока приводит также к возникновению между первой гармоникой коллекторного тока и колебательным напряжением ( на контуре фазового сдвига српр, зависящего от времени движения носителей тока. [38]
 |
Схема генератора на полупроводниковом триоде с комбинированным смещением. [39] |
Но они выражаются более сложными зависимостями, так как должны учитывать коэффициенты передачи напряжения между p - n - переходами и фазовые сдвиги, связанные с временем движения носителей тока. [40]
В первом случае ( рис. 3.45, б) внешнее поле препятствует движению основных носителей тока ( электронов - в п и дырок - в р) и способствует движению побочных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках невелика. Можно сказать, что источник тока отсасывает электроны из га и посылает их в р, вследствие чего уменьшается концентрация основных носителей тока в обоих полупроводниках и их сопротивление сильно возрастает. Это направление тока называется обратным или запирающим. [41]
Выражение ( 10) для классической постоянной Холла получено в предположении, что все носители гока имеют одинаковую скорость движения v, которая к тому же не изменяется при движении носителей тока в веществе. Мы не учли, следовательно, что при движении в реальном веществе носители тока испытывают столкновения и потому рассеиваются на примесях, на колебаниях решетки. Учет рассеяния носителей тока в веществе приводит к несколько исправленным выражениям для R, вид которых зависит от механизма рассеяния. [42]
Условия самовозбуждения транзисторных автогенераторов те же, что и ламповых ( удовлетворение баланса амплитуд и фаз), но они выражаются более сложными зависимостями, учитывающими коэффициенты передачи токов между р-л-переходами и их фазовые сдвиги, обусловленные временем движения носителей тока. При больших углах пробега носителей тока появляется фазовый сдвиг между напряжением обратной связи на базе и первой гармоникой тока базы, значительно возрастает мощность, расходуемая в цеп базы, вследствие чего ухудшаются условия самовозбуждения. По этим причинам коэффициент обратной связи на ВЧ выбирают и 4 - 5 раз больше критического. [43]
Этот опыт, позволяющий непосредственно определить эффективную массу, является первым опытом, в котором это оказалось возможным. Движение носителей тока напоминает движение частиц в циклотроне или в простом магнетроне. Двойной знак в уравнении ( 1) показывает, что электроны и дырки будут вращаться в магнитном поле в разные стороны. Оценим порядок величины нескольких параметров, относящихся к этому эксперименту. Сделаем оценки, полагая пг / т 0 1, что не является невероятным. Для / с24 000 мггц или свс1 5 - 1011 радиан / сек имеем 77 860 эрстед. [44]
 |
Характер флуктуации тока в лампе. [45] |
Страницы: 1 2 3 4