Движение - носитель - ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Дипломат - это человек, который посылает тебя к черту, но делает это таким образом, что ты отправляешься туда с чувством глубокого удовлетворения. Законы Мерфи (еще...)

Движение - носитель - ток

Cтраница 2


Первое из равенств ( 9) показывает, что движения носителей тока вдоль магнитвогв поля не возникает. Сравнивая формулы ( 10) и ( 4), находим, что в присутствии магнитного поля подвижность электронов уменьшается, Согласно ( 6) подвижность однозначно связана с проводимостью.  [16]

При изучении механизма проводимости и электрофизических свойств полимеров необходимо учитывать движение носителей тока как вдоль цепей полисопряжения, так и между ними. Первое решается в основном при синтезе полимера или его обработке, второе - благодаря глубоким структурным исследованиям.  [17]

18 Схема триода с двухслойной базой. [18]

Для более высоких частот используются полупроводниковые триоды, у которых движение носителей тока совершается под действием электрического поля.  [19]

Канальный триод относится к категории приборов, в которых используется движение носителей тока в сильных электрических полях, создаваемых под воздействием приложенного к прибору внешнего напряжения.  [20]

Что такое уровень инжекции и как он влияет на характер движения носителей тока через р-п переход.  [21]

Рассмотрим теперь энергетические потери, возникающие в результате образования пар и движения носителей тока в толще фотоэлемента. Они также складываются из нескольких частей.  [22]

23 Нормализованные зависимости А-параметров и предельной частоты плоскостных транзисторов от режима и температуры. [23]

В транзисторных схемах на - их частотные и временные характеристики инерционность движения носителей тока оказывает зачастую большее влияние, чем емкости переходов.  [24]

25 Учет барьерных емкостей р-п переходов. [25]

Моделирующая эквивалентная схема образуется путем объединения эквивалентной схемы теоретической модели процессов движения носителей тока в области базы с электрическими эквивалентами пассивных элементов конструкции транзистора.  [26]

Эти коэффициенты могут быть вычислены методом кинетического уравнения Больцмана [612, 1232, 1235], посредством решения уравнения движения носителей тока с применением так называемой весовой функции [32, 1236], методом матрицы плотности [1237], методом функций Грина [1238], а также с помощью аппарата, составляющего математическую основу теории анизотропного рассеяния ( ТАР) [1238 - 1240] и обеспечивающего сведение кинетического уравнения к бесконечной системе линейных алгебраических уравнений относительно Xin. Под Xjn понимают коэффициенты разложения неравновесной части функции распределения в ряд по сферическим функциям.  [27]

Наиболее характерные черты этих явлений связаны с воздействием индукции магнитного поля В на траектории движения носителей тока, которые искривляются из-за силы Лоренца и представляют собой спирали с образующей вдоль В.  [28]

29 Положение-уровня Фер . [29]

Таким образом, в триоде с электрическим полем в базе, созданной градиентом концентрации примесей, движение носителей тока происходит как за счет диффузии, так it под воздействием поля, при 5j этом время пролета носителей от эмиттера до коллектора значительно меньше, а Зг - предельная частота гораздо выше, чем у сплавных трио - 3f дов при той же ширине базы.  [30]



Страницы:      1    2    3    4