Движение - неосновной носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Проводники с различным типом электропроводности. а до соприкосновения. б при соприкосновении. [1] |
Движение неосновных носителей заряда под воздействием поля образует ток проводимости ( дрейфа), направленный противоположно току диффузии. [2]
Эта инерционность процессов в транзисторе, вызванная конечной скоростью движения неосновных носителей заряда в базе, иногда рассматривается как следствие влияния некоторой эквивалентной емкости транзистора, называемой диффузионной. [3]
 |
Подключение источников напряжения к полупроводниковому диоду. [4] |
В этом случае сопротивление р-п-перехода велико, ток через нега мал - он обусловлен движением неосновных носителей заряда. Такое направление тока называется обратным. [5]
 |
Вольт-амперная стика р-л-перехода. [6] |
При этом сопротивление p - n - перехода велико, ток через него мал - он обусловлен движением неосновных носителей заряда. В этом случае ток называют обратным, а р-п-переход - закрытым. [7]
 |
Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле i ( к р-и-переходу приложено прямое напряжение. [8] |
При этом сопротивление р - п - перехода велико, ток через него мал - он обусловлен движением неосновных носителей заряда. В этом случае ток называют обратным, ар-и-переход - закрытым. [9]
 |
Экспоненциальное распределение концентрации примеси в базе диода. [10] |
По отношен-ию к фотодиоду с однородной базой это поле вызывает увеличение коэффициента собирания, так как улучшаются условия движения неосновных носителей заряда к р - - переходу. Электрическое поле возникает и тогда, когда база является варизонным полупроводником. [11]
 |
Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [12] |
Обычно биполярные транзисторы малочувствительны к магнитному полю, так как поперечное магнитное поле приводит только к искривлению траекторий движения неосновных носителей заряда, идущих через базу от эмиттера к коллектору, что эквивалентно уменьшению эффективной подвижности неосновных носителей в базе транзистора. В связи с малой толщиной базы в обычных биполярных транзисторах практически все инжектированные эмиттером носители дости-гают коллект Ра несмотря на ис-кривление траекторий их движения магнитным полем. Другой физической причиной изменения парамет ров биполярных транзисторов в магнитном поле является изменение сопротивления базы транзистора. [13]
 |
Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией.| Структура биполярного магнитотранзистора с двумя коллекторами и схема его включения. [14] |
Обычно биполярные транзисторы малочувствительны к магнитному полю, так как поперечное магнитное поле приводит только к искривлению траекторий движения неосновных носителей заряда, идущих через базу от эмиттера к коллектору, что эквивалентно уменьшению эффективной подвижности неосновных носителей в базе транзистора. В связи с малой толщиной базы в обычных биполярных транзисторах практически все инжектированные эмиттером носители достигают коллектора, несмотря на искривление траекторий их движения магнитным полем. Другой физической причиной изменения парамет ров биполярных транзисторов в магнитном поле является изменение сопротивления базы транзистора. [15]
Страницы: 1 2 3 4