Движение - неосновной носитель - заряд
Cтраница 3
Существенной особенностью рассматриваемой структуры является неравномерное распределение примесей в области базы и возможность создания гонкой ( порядка единиц микрометров) базовой области. Благодаря этому в базе создается ускоряющее поле и время движения неосновных носителей зарядов через базу к коллектору уменьшается, что позволяет создавать транзисторы, работающие на частотах до 1 ГГц и более. [31]
К обоим переходам подводятся обратные напряжения. Поэтому через них проходит лишь незначительный ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда. Практически транзистор в режиме отсечки оказывается запертым. [32]
В связи с увеличением инжекционной составляющей тока эмиттера происходит процесс накопления неосновных носителей заряда в базе транзистора. Этот процесс также происходит не мгновенно, так как скорость движения неосновных носителей заряда в базе конечна. [34]
Быстродействие триггерных схем на плоскостных полупроводниковых триодах зависит от ряда факторов. При использовании низкочастотных триодов, работающих по принципу диффузии, предельная возможная частота переключений ненасыщенного триггера определяется главным образом временем движения неосновных носителей заряда через базовый слой. В режиме насыщения неосновные носители накапливаются в области базы в избыточном количестве, что вызывает дополнительную задержку переключения схемы на время их рассасывания. Применение дрейфовых триодов значительно повышает быстродействие триггеров, работающих в ненасыщенном режиме, и в относительно меньшей степени - быстродействие насыщенных. [35]
Благодаря использованию насыщенных транзисторов, а также потому, что напряжение отпирания почти не зависит от напряжения источника питания, частота колебаний мультивибратора мало зависит от изменений питающего напряжения. В то же время она сильно зависит от температуры, с повышением которой уменьшается сопротивление эмиттерного перехода закрытого транзистора, так как через него увеличивается движение неосновных носителей заряда. Это сопротивление, шунтируя резистор б, изменяет постоянную времени перезаряда конденсатора. [36]
At / g - Это напряжение, приложенное плюсом к р-п переходу, создает на переходе обратное смещение. Если напряжение эв1 меньше напряжения Af / g, то переход включен в обратном направлении и через него течет ток - / э / Обр, обязанный движению неосновных носителей заряда. [38]
Особенностью меза-диода является уменьшение объема базовой области, благодаря чему сокращается процесс накопления и рассасывания заряда. Второй особенностью меза-диода является неравномерное распределение примесей в базе, благодаря чему создается внутреннее поле. Наличие этого поля способствует движению неосновных носителей заряда через базу. [39]
При увеличении обратного напряжения ток почти не увеличивается, так как расширяется пр-переход, а градиенты концентрации Гп ( Хр) и Гр ( хп), определяющие величину токов диффузии, остаются почти неизменными. Ток, протекающий через пр - переход при наличии обратного напряжения, называется обратным током. Этот ток очень мал поскольку создается движением неосновных носителей заряда, концентрация которых невелика. Если прямой ток составляет десятки - сотни миллиампер, то обратный ток равен десяткам - сотням микроампер. [40]
 |
Конструкция маломощного транзистора.| Конструкция мощного транзистора. [41] |
Это позволяет значительно улучшить частотные свойства транзистора. Кроме того, технология производства транзисторов методом диффузии предусматривает плавное изменение концентрации примесей от эмиттерного перекода к выводу коллектора, вследствие чего электрическое поле коллектора частично распространяется и на область базы. В результате действия этого ускоряющего поля время движения неосновных носителей зарядов через базу к коллектору уменьшается, что также позволяет расширить частотный диапазон прибора. Диффузионный метод получения р-п переходов, имеющий много технологических разновидностей, позволяет создавать различные типы транзисторов на рабочие частоты до I ГГц и более. [42]
Его значение определяется параметрами генератора тока во входной цепи транзистора. В связи с увеличением инжекционной составляющей тока эмиттера происходит процесс накопления неосновных носителей заряда в базе транзистора. Этот процесс также происходит не мгновенно, так как скорость движения неосновных носителей заряда в базе конечна. [44]
Таким образом, дрейф и диффузия области избыточной концентрации определяются движением неосновных носителей заряда. Поэтому рассмотрение движения носителей только одного знака, а именно движение неосновных носителей без учета движения основных носителей, проведенное в предыдущих разделах, можно считать достаточно обоснованным для полупроводников с ярко выраженным типом проводимости. [45]
Страницы: 1 2 3 4