Движение - неосновной носитель - заряд
Cтраница 2
 |
Структура биполярного магнитотранзистора с двумя коллекторными переходами и схема его включения. [16] |
Обычно биполярные транзисторы мало чувствительны к магнитному полю, так как поперечное магнитное поле приводит только к искривлению траекторий движения неосновных носителей заряда, идущих через базу от эмиттера к коллектору, что эквивалентно уменьшению эффективной подвижности неосновных носителей в базе транзистора. В связи с малой толщиной базы в обычных биполярных транзисторах практически все инжектированные эмиттером носители достигают коллектора, несмотря на искривление траекторий их движения магнитным полем. Другой физической причиной изменения параметров биполярных транзисторов в магнитном поле является изменение сопротивления базы транзистора. [17]
 |
Конструкция плоскостного полупроводникового диода.| Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода средней мощности. [18] |
При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток ( рис. 1.15), обусловленный движением неосновных носителей заряда через р-п-переход. При повышении температуры р-п-перехода количество неосновных носителей заряда увеличивается, поэтому обратный ток диода возрастает. [19]
 |
Движение носителей заряда в транзисторе типа р-п - р.| Движение носителей заряда в транзисторе р-п - р при отсутствии тока эмиттера. [20] |
Кз замкнуть, a / Ci разомкнуть, то в коллекторной цепи будет проходить незначительный обратный ток, вызванный движением неосновных носителей заряда - электронов коллектора и дырок базы. [21]
 |
Полупроводниковые диоды.| Структурная схема пло - С1 стного триода типа р-п - р. [22] |
При включении диода, как показано на рис. 29 6, в цепи возникает незначительный обратный ток, обусловленный только движением неосновных носителей зарядов. [23]
При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения через него проходит незначительный обратный ток ( см. рис. 3.9 и 3.11), обусловленный движением неосновных носителей заряда через р-п-переход. [24]
Важной особенностью метода диффузии является то, что в базовой области триода здесь создается градиент концентрации примесей, который приводит к образованию электрического поля в направлении, ускоряющем движение неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору. [25]
В результате возникающего градиента концентраций электроны в базе диффундируют к коллекторному переходу, обнажая вблизи эмиттерного перехода положительные заряды ионизированных атомов - доноров. Под действием этого поля движение неосновных носителей заряда - дырок, инжектированных из эмиттера в базу, носит не только диффузионный, как в обычном сплавном транзисторе с равномерно легированной базой, но и дрейфовый характер. [26]
Схемы на туннельных диодах предельно просты и содержат минимальное число компонентов. Работа туннельного диода не связана с движением неосновных носителей заряда, и поэтому такой параметр, как время жизни неосновных носителей, а также температурная зависимость их концентрации для него не имеют большого значения. Это определяет сравнительно слабую зависимость основных параметров туннельных диодов от температуры, ядерного облучения и других воздействий. Правда, требования к стабильности и разбросу параметров туннельных диодов значительно жестче, чем для транзисторов, поэтому определение температурных зависимостей параметров туннельных диодов и их нормирование в технических условиях имеют все же большое значение. [27]
 |
Зависимость емкости конденсаторов от частоты неременной составляющей приложенного напряжения. [28] |
На повышенных частотах осложняется выпрямление. Это связано с инерционностью диодов: из-за инерционности движения неосновных носителей заряда объемный заряд не исчезает мгновенно. Инерционность приводит к существованию большого i06 ( вначале равного / пр) в течение времени востановления, пока i0e не станет равно тепловому току диода. [29]
Существенной особенностью рассматриваемой структуры является неравномерное распределение примесей в области базы и возможность создания тонкой ( порядка единиц микрометров) базовой области. Благодаря этому в базе создается ускоряющее поле и время движения неосновных носителей зарядов через базу к коллектору уменьшается, что позволяет создавать транзисторы, работающие на частотах до 1 ГГц и более. [30]
Страницы: 1 2 3 4