Движение - вакансия
Cтраница 1
Движение вакансий эквивалентно миграции частиц. Перенос массы возможен при одновременном соблюдении двух условий: возникновении вакансии и достижении достаточно большой энергии колебаний частицы около положения равновесия. Если энергия колебаний велика или размеры частицы незначительны ( водород, азот, углерод) возможна их миграция в междоузлиях решетки, что имеет место в металлических мембранах. В твердых растворах замещения движение частиц может происходить не только за счет вакансий, но и в результате обмена с соседними частицами. [1]
 |
Точечные дефекты кристаллической решетки, вызванные чужеродными атомами ( В, D, замещающими собственные ( А, при соотношении радиусов rArB ( a urArD ( 6. [2] |
Движение вакансий является главной причиной диффузии атомов в кристаллах. Вакансии также оказывают решающее влияние на ползучесть, графитизацию и другие процессы, связанные с переносом атомов в материалах. [3]
 |
Влияние характера излучения и массового числа мишени на пороговые энергии смещения атомов. [4] |
Движение вакансий в меди становится заметным лишь при температурах порядка 230 - 240 К. [5]
 |
Влияние содержания меди на время релаксации вакансий в сплавах А1 - Си. [6] |
С движением вакансий связан процесс переползания дислокаций. Механизм разрушения образца в процессе ползучести при высо-вдх температурах связан с возникновением избыточной концентрации вакансий и образованием в металлах пор. [7]
Диффузию обусловливает движение вакансий и атомов, однако в каждом конкретном случае преобладающим может оказаться какой-либо один из механизмов. Роль непосредственного обмена местами соседних элементов решетки в процессах диффузии несущественна. [8]
Если траектории движения вакансий от источника к атому не попадают в некоторые узлы, концентрация вакансий в них будет принимать неравновесное значение. [9]
 |
Силовая зависимость энергии активации разрыва цепочки. [10] |
Энергия активации движения вакансий вблизи трещины уменьшается по сравнению с энергией активации обычной самодиффузии на величину, равную согласно упрощенным оценкам б3 У па. [11]
 |
Зависимость между постоянными уравнения Раша - Хиириксепа в серии стекол, содержащих экв. % MexOv. [12] |
Корреляционный фактор движения вакансий, вероятно, отличается от единицы в наибольшей мере тогда, когда стекло содержит ионы разных размеров. Действительно, для таких стекол всесторонними исследованиями К. К. Евстропьева и В. К. Павловского [5] было показано, что энтальпии активации диффузии различных ионов различны. [13]
В случае движения вакансии дифференциальные уравнения не должны изменяться, так как не изменяются физические явления процесса. [14]
Эти явления - движение вакансий и атомов - обусловливают диффузию в кристаллах. В принципе возможны все перечисленные механизмы перемещения частиц в решетках. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5