Движение - вакансия
Cтраница 3
Принципиально новые возможности возникают при замене движения сорбированных полос на движение вакансии в сорбированном слое, заполненной лишь газом-носителем. [31]
На закаленном золоте высокой чистоты было проведено определение энергии активации движения вакансий по отношению угловых коэффициентов в широком интервале концентраций дефектов от 10 - 2 ат. [32]
До сих пор мы говорили, в основном, о движении вакансий по кристаллу, которое связано с движением атомов. В отличие от вакансий, которая всегда рядом имеет атомы, сидящие в узлах, атом по кристаллу движется с меньшей скоростью. Это обусловлено тем, что атом для того, чтобы совершить элементарный скачок, должен еще некоторое время ждать, когда к нему подойдет вакансия. [33]
Параболическая временная зависимость окисления характерна для температур, достаточно высоких, чтобы обеспечить движение вакансий через пленку даже в отсутствие градиента электрического потенциала. [34]
Таким образом, в кристаллах со сравнительно малым значением разности W - ev и небольшой энергией активации движения вакансии ( междоузельного атома) вероятность теплового образования собственного дефекта решетки с одновременным захватом носителя тока намного превышает обычную вероятность теплового рождения дефекта ( без захвата носителя) и может быть значительной при не слишком высокой температуре. [35]
Если, скажем, произошел перескок иона из узла в вакансию слева направо, то это эквивалентно движению вакансии справа налево на такое же расстояние. [36]
Энергия активации отжига вакансии составляет 1 26 0 06 эВ, и это предположительно идентифицируется с энергией активации движения вакансии. [37]
В этом случае fad смещается в область меньших значений и приближается к hd, равной сумме энтальпий образования и движения вакансий вдоль дислокаций. [38]
Под действием тепловых флуктуации в реальных кристаллах при каждой данной температуре идет не только процесс образования дефектов, но одновременно за счет движения вакансий и дислоцированных в междоузлиях частиц процесс их исчезновения или залечивания. Однако кристалл может содержать и избыточное ( неравновесное) число точечных дефектов. [39]
При сварке давлением может одновременно проходить целый ряд сложных металлофизических процессов: диффузия, рекристаллизация, ползучесть, образование и движение дислокаций, образование и движение вакансий и междуузельных атомов. [40]
При наличии в кристалле дефектов Шоттки ионы под влиянием электрического поля начинают перескакивать из нормального положения в узле решетки в вакансию, вызывая тем самым как бы движение вакансий в обратном направлении. Когда подвижны ионы только одного знака, то происходит движение только вакансий того же знака, причем, если положительные или отрицательные ионы двигаются к электроду противоположного знака, то вакансии двигаются к одноименному по знаку электроду. [41]
 |
Иллюстрация механизмов эффекта Киркендалла в системе медь - латунь. [42] |
Теоретические расчеты энергии, необходимой для перемещения атомов с помощью одного из перечисленных механизмов, также показывают, что в сплавах со структурой твердых растворов замещения преобладает диффузия путем движения вакансий. При образовании твердых растворов внедрения реализуется механизм диффузии по междоузлиям. [43]
Следует подчеркнуть, что равновесные методы позволяют оценивать равновесную концентрацию вакансий и соответственно определять энергию их образования, но не дают никаких сведений о подвижности и об энергии активации движения вакансий. [44]
 |
Эффект Киркендаля.| Влияние облу - эффекта, гораздо больше, чем стационарная. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5