Движение - вакансия
Cтраница 2
В общем случае движение вакансии, состоящее в перестановках атомов между собой, может сопровождаться изменением спиновой структуры кристалла, Поэтому В. [16]
Этот переход эквивалентен движению вакансии. При создании вакансий важную роль играют дислокации. [17]
Аналогичное выражение получается для движения вакансии, образующей суп ер порог. Не требуется специального анализа, чтобы показать тождественность этого выражения для порога, образуемого атомами внедрения, поскольку указанные пороги перемещаются с одной и той же скоростью. [18]
Для осуществления диффузии посредством движения вакансий необходимо одновременное наличие двух условий: существования вакансии и образования у одного из соседних атомов достаточно большой энергии колебания, чтобы он смог покинуть свой узел. [19]
Приближенный расчет энергии активации движения вакансий для сплава титана ВТ14М по разности энергий активаций самодиффузии ( 2 4 - 2 6 эв [70, 71]) и образования вакансий по выражению EF 0 2 Gb3 [72] показывает, что она равна 1 - 1 2 эв. Таким образом, с ростом приложенного напряжения энергия активации процесса замедленного разрушения высокопрочных сплавов титана резко падает от значений, близких к энергии сублимации ( при о 0), до значений, характерных для энергии активации движения вакансий, а затем и сдвига по границам зерен. [20]
Следовательно, все условия движения вакансии идентичны условиям движения полосы. [21]
Дырочная проводимость возникает в результате движения вакансий электронов валентной зоны и эквивалентна проводимости положительных по знаку носителей заряда - дырок. [22]
 |
Пик диэлектрических потерь ( D для ТЮз с добавкой 1 5 % СаО при осциллирующих электрических напряжениях частотой 695 гц. TD Л sech ( RIT S. Л 48 0 К. R 10 8 - 103 К. S - 21 1. [23] |
Были выведены уравнения, описывающие влияние движения вакансий на модули упругости и внутреннее трение, а также на их электрические аналоги. [24]
При таком механизме атомы движутся противоположно движению вакансий. Предполагается, что такой механизм действует тогда, когда атомный радиус атома внедрения меньше, чем у атомов в обычных узлах решетки. [25]
Разумно предположить, что в отсутствие полей движение вакансии в сплаве, содержание примеси в котором мало, будет случайным. [26]
Это приводит к значительному увеличению электропроводности, обусловленной движением вакансий. При высоких температурах электропроводность всех образцов одинакова, так как собственная концентрация вакансий в этих условиях превышает концентрацию вакансий, наведенных добавлением Sr2, и концентрация вакансий во всех образцах примерно одинакова. [27]
Это приводит к значительному увеличению электропроводности, вызванной движением вакансий. При высоких температурах собственная концентрация вакансий в кристалле оказывается существенно больше, чем концентрация вакансий, наведенных присутствием посторонних ионов. Поэтому область высоких температур и называется областью собственной проводимости. [28]
Направление движения электронов при наличии Е оказывает влияние на движение вакансий и компонентов обрабатываемого сплава. Так, на катоде Е 0, а ( м а (, и элементы из внешней насыщающей среды диффундируют в глубь метиллп как, например, в процессе электролизного борирования или алитирования. На аноде же Е 0 и термодинамическая активность составляющих сплав компонентов при наличии электрического тока оказывается меньше, чем при отсутствии направленного движения электронов. При этом 1-тый компонент материала, несущий частичный положительный заряд, из внутреннего объема образца должен переходить в поверхностный слой, используя вакансии, заряженные кик бы отрицательно за счет коллективизированных электронов. [29]
 |
Зависимость К от а при постоянном сопротивлении. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5