Дрейфовое движение
Cтраница 3
При наложении продольного поля направления магнитного и электрического полей совпадают, поэтому на дрейфовое движение заряженных частиц магнитное поле влиять не будет. Однако электроны и ионы обладают еще тепловой скоростью хаотического движения и скоростью амбиполярной диффузии. [31]
Оно определяется длиной свободного пробега и полной скоростью частицы, но не скоростью дрейфового движения. Полная скорость зависит от энергии частицы. Тем самым время свободного пробега является функцией энергии частицы. Эта зависимость усложняется в том случае, когда длина свободного пробега также зависит от энергии. Поэтому для нахождения дрейфовой скорости, как и целого ряда других характеристик вещества, необходимо усреднять времена свободного пробега и другие величины с учетом функции распределения электронов по энергии, что будет проделано нами в IV главе. [32]
Оно определяется длиной свободного пробега и полной скоростью частицы, но не скоростью дрейфового движения. Полная скорость зависит от энергии частицы. Тем самым время свободного пробега является функцией энергии частицы. Эта зависимость усложняется в том случае, когда длина свободного пробега также зависит от энергии. Поэтому для нахождения дрейфовой скорости, как и целого ряда других характеристик вещества, необходимо усреднять времена свободного пробега и другие величины с учетом функции распределения электронов по энергии, что будет проделано в IV главе. [33]
Коэффициент пропорциональности ц между скоростью дрейфа и напряженностью электрического поля является основным параметром дрейфового движения и называется подвижностью. Подвижность зависит от эффективной массы свободных носителей и имеет разные значения для электронов и дырок. [34]
Направленное перемещение свободных носителей заряда в полупроводнике, обусловленное электрическим полем, называют дрейфовым движением. [35]
Возникающее при этом поле gg оказывается достаточным для того, чтобы вызвать в базе заметное дрейфовое движение неосновных носителей - дырок. Поскольку дрейф дырок суммируется с их диффузией, скорость перемещения дырок от перехода в базу увеличивается. [36]
Приближенный метод описания движения заряженных частиц в магнитном поле как сочетания циклотронного вращения и дрейфового движения носит название адиабатического или дрейфового приближения. [37]
При наличии поля и равномерном распределении концентрации носителей движение зарядов в полупроводниках определяется полем ( дрейфовое движение) и подчиняется ( так же как и в металлах) закону Ома. Составляющая дрейфового движения определяет в полупроводниковых средах ( так же как и в проводниках) их электрическую проводимость. [38]
В модели проводящей жидкости мы уже встречались с дрейфовым движением; оно представляет собой совокупность дрейфовых движений отдельных частиц. [39]
Nh) определяется холловским (9.23), а в скомпенсированных ( Ne Nh) - поляризационным (9.24) дрейфовым движением. Спектр геликонов и магнитоплазменных воли нетрудно вывести из уравнения (9.21) и выражения для тока j INe d, полагая проводимость ara вдоль поля Н бесконечной. [40]
Реальной причиной возникновения тока в этом, случае может являться неоднородность давления электронной компоненты, создающаяся вследствие дрейфового движения. [41]
При обратном напряжении толщина перехода (2.6) возрастает непропорционально напряжению, в результате напряженность электрического поля перехода увеличивается и в нем преобладает дрейфовое движение носителей по сравнению с диффузионным: дырки в n - области и электроны в р-области вследствие теплового хаотического движения могут пересечь границы перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область. В результате уменьшаются концентрации неосновных носителей у границ перехода; это явление называют экстракцией неосновных носителей. Выражения (2.7), (2.8) справедливы и для экстракции, при t / 0 из них следует Дпр0, Дрп0, что соответствует уменьшению концентраций неосновных носителей по сравнению с равновесными концентрациями. [42]
При наложении на кристалл электрического поля Е свободные электроны, участвуя в хаотическом тепловом движении, будут испытывать действие силы епЕ и придут в дрейфовое движение против поля. [43]
 |
Решетка типа алмаза.| Возникновение проводимости в результате тепловых колебаний решетки и облучения полупроводника. [44] |
При наложении на кристалл электрического поля Е свободные электроны, участвуя в хаотическом тепловом движении, будут испытывать действие силы е Е и придут в дрейфовое движение против поля. [45]
Страницы: 1 2 3 4