Дрейфовое движение

Cтраница 4

Таким образом, связь между током и напряжением в транзисторе ( как и в полупроводниковых диодах) не непосредственная, как это имеет место при дрейфовом движении зарядов, а определяется через граничные концентрации и их градиенты. [46]

Выхрдные ( стоковые характеристики транзистора с индуцированным каналом. [47]

Если при Е / зи1 зипор подать отрицательное напряжение на сток ( t / си С 0) то в канале появится продольное электрическое поле и возникнет дрейфовое движение дырок от истока к стоку: потечет ток / о Этот ток можно регулировать, меняя напряжение - С / зи; а следовательно, и концентрацию дырок в канале, а также напряжение С / Си - В последнем случае будут изменяться не только дрейфовая скорость движения дырок в канале, и значение тока / с, но и конфигурация канала. Обсудим это явление при рассмотрении выходных характеристик. [48]

Если условие адиабатичности выполнено, то движение частицы может рассматриваться как сочетание трех независимых движений: свободного движения вдоль силовой линии, циклотронного вращения вокруг нее и дрейфового движения поперек магнитного поля. При невыполнении условия адиабатичности два последних движения перепутываются и возникает сложная картина, трудная для анализа. [49]

Трохоидальное движение частиц в скрещенных полях. [50]

Следует отметить, что дрейф в скрещенных полях является частным примером более общего закона: любая постоянная сила, действующая на заряженную частицу в направлении, перпендикулярном к Н, вызывает дрейфовое движение поперек силовых линий магнитного поля. [51]

Особенностью МЦАР является и то, что в процессе энергообмена уменьшается не только осцилляторный, но и продольный импульс, что следует непосредственно из формулы (1.158), т.е. энергия черпается из дрейфового движения осцилляторов. Более того, теоретические оценки [52, 53] показывают, что электронный КПД порядка единицы возможен при 1 - / 3 С 7сГ2 и v - L / vz C 1, т.е. когда дрейфовое движение является главным источником энергии излучения. Важным достоинством таких режимов является большое ( при 70 3 1) допле-ровское преобразование частоты, что открывает возможность получения коротковолнового излучения при относительно слабых магнитных полях. [52]

При прямом смещении напряженность поля в переходе уменьшается, условие равновесия диффузионного и дрейфового токов нарушается - диффузия электронов из n - области и встречная диффузия дырок преобладают по сравнению с их дрейфовым движением. Вследствие диффузии увеличивается концентрация неосновных носителей в нейтральных областях, граничащих с переходом. Этот процесс называется инжекцией неосновных носителей. Концентрации избыточных электронов Дпр в р-области и дырок Арп в n - области у границ перехода получим, предполагая, что эти величины малы по сравнению с равновесными значениями основных носителей в соответствующих областях. [53]

Первый и последний члены в этих уравнениях, как уже было сказано, характеризуют скорости рекомбинации и генерации носителей зарядов, второй член - их диффузионное движение, а третий и четвертый - дрейфовое движение частиц. [54]

В реальном р-п-переходе при обратном напряжении электроны и дырки, образующиеся в обедненном слое вследствие термогенерации, движутся в электрическом поле в противоположных направлениях: электроны - в сторону / г-области, а дырки - в сторону р-области. Дрейфовое движение этих носителей образует ток генерации. Число носителей, генерируемых в единице объема за единицу времени ( скорость генерации), равно 7т, где т - время жизни носителей в обедненном слое. Умножая эту величину на объем обедненного слоя SL0u ( U), получаем полное число носителей, генерируемых в p - n - переходе за единицу времени. [55]

Диффузия присуща всем типам транзисторов. Дрейфовое движение вызывается внутренним электрическим полем в базе. Дрейф наглядно виден на рис. 4.2, в; электрон 2, движущийся в базе, как бы скатывается по наклонной плоскости. Транзисторы с неоднородно легированной базой, в которой существенно дрейфовое движение, называют дрейфовыми. Менее распространены бездрейфовые транзисторы с однородно легированной базой, в которой нет внутреннего электрического поля. [56]

Страницы: 1 2 3 4