Cтраница 1
Действие внешнего поля на полярную молекулу сводится в основном к стремлению повернуть молекулу так, чтобы ее дипольный момент установился по направлению поля. На величину диполь-ного момента внешнее поле практически не влияет. Следовательно, полярная молекула ведет себя во внешнем поле как жесткий диполь. [1]
Действие внешнего поля приводит к выделению на поверхности раздела частица - среда связанных поляризационных зарядов вследствие дипольной поляризации. Выделяющийся под влиянием внешнего поля избыточный заряд ионов распределен на поверхности раздела не в виде монослоя, а, будучи подвержен тепловому движению, формирует диффузную атмосферу, пространственное строение которой подобно строению диффузной атмосферы равновесного ДЭС. Это подобие обусловлено тем, что распределение свободного поляризационного заряда, выделяющегося под действием внешнего поля у поверхности раздела частица - электролит, определяется теми же факторами, что и распределение ионов в диффузной обкладке ДЭС - нормальными к поверхности частицы составляющими электрического поля и градиентов концентраций носителей заряда. [2]
Действие внешнего поля на полярную молекулу сводится в основном к стремлению повернуть молекулу так, чтобы ее дипольный момент установился по направлению поля. На величину диполь-ного момента внешнее поле практически не влияет. Следовательно, полярная молекула ведет себя во внешнем поле как жесткий диполь. [3]
Если действие внешнего поля прекращается, то через некоторое время диполи, вследствие теплового движения, вновь оказываются расположенными хаотически, а электрический момент единицы объема становится равным нулю. [4]
Под действием внешнего поля равновесное распределение электронов искажается и в проводнике возникает направленная диффузия электронов - электрический ток. Средняя кинетическая энергия электронов в этом случае несколько отклоняется от ее равновесного значения, и притом по-разному в разных проводниках. Таким образом, в присутствии тока полная энергия электронов справа и слева от контакта двух разных проводников оказывается различной. Этот избыток ( или недостаток) энергии выделяется ( или поглощается) в непосредственной близости от контакта и проявляет себя как тепло Пельтье. [5]
![]() |
Генерация и рекомбинация носителей в области объемного заряда. [6] |
Под действием внешнего поля электроны, перешедшие в зону проводимости, практически мгновенно выводятся за пределы р-п перехода. [7]
Под действием внешнего поля ротор намагнитится - элементарные магнитики ротора будут ориентироваться по полю. В результате взаимодействия внешнего поля с полем ротора возникнут радиальные силы. [8]
Под действием внешнего поля спонтанные моменты изменяются, их сумма перестает быть равной нулю и поляризация вещества резко возрастает. [10]
Под действием внешнего поля квантовая система, не имеющая постоянного дипольного момента, поляризуется, у нее возникает индуцированный ( наведеппый) дипольный момент. Поляризация атомов и молекул под действием постоянного внешнего электрического поля является хорошо изученным явлением. Возникновение поляризации обусловлено различным знаком силы, действующей на разноименные заряды в поле. Очевидно, что поляризация может возникать и под действием переменного поля. [11]
Под действием внешнего поля диэлектрик поляризуется. Это означает, что результирующий дипольный момет диэлектрика становится отличным от нуля. [12]
Под действием внешнего поля образуется диполь-ный момент Мопт, а возникающая поляризация называется оптической. [13]
![]() |
ПЗС структура с трехшинным управлением.| ПЗС структура сдвигового регистра с двухшинным управлением. [14] |
Под действием внешнего поля в объеме материала полупроводника, примыкающей к поверхности, образуются обедненные области, представляющие собой потенциальные ямы для неосновых носителей. После прекращения облучения ПЗС структуры могут сохранять накопленные заряды, а при подаче соответствующей последовательности управляющих импульсов передавать эти заряды в определенном направлении от одной структуры к другой. Однонаправленная передача информации возможна при организации систем с числом ступенек инверсионной области не менее трех. [15]