Действие - внешнее поле
Cтраница 4
Это значит, что под действием внешнего поля Е1 в кристалле возникает поле с вектором индукции D, имеющим компоненты не только вдоль вектора Е, но и в поперечных направлениях. [46]
Переходы между атомными уровнями под действием внешнего поля называют индуцированными ( или вынужденными) переходами. Сопровождающее их индуцированное излучение имеет ту же частоту, направление распространения и поляризацию, что и вынуждающее внешнее излучение. Фазы вынуждающего колебания и испущенных квантов жестко связаны, что обусловливает когерентность индуцированного излучения. [47]
Изменение проводимости приповерхностного слоя под действием внешнего поля называют эффектом поля, а сам обогащенный слой - каналом. Поскольку канал характерен большой концентрацией электронов или дырок, можно сказать, что эффект поля в собственном полупроводнике приводит к образованию тонких искусственных слоев с проводимостью п - или р-типа. [48]
В идеальном газе, не подверженном действию внешнего поля, потенциальная энергия частиц равна нулю. Такие частицы называются свободными. Для свободных частиц удобно пользоваться не 6-мерным фазовым пространством, а 3-мерным пространством импульсов. В этом случае элемент Д / V равен просто объему V, в котором движутся частицы, поскольку никаких других ограничении на их положение в пространстве не налагается. [49]
Рассмотрим закрытую систему, не подверженную действию внешнего поля и не содержащую неравномерно деформированных твердых тел. [50]
Изменение работы выхода электронов Дш под действием внешнего поля называется эффектом Шоттки. [52]
Возникновение электрического тока в проводнике под действием внешнего поля свидетельствует о том, что это поле изменяет функцию распределения электронов по состояниям, так как равновесная функция распределения не приводит к появлению тока. [53]
Электроны и положительные дырки перемещаются под действием внешнего поля к границе р - га-перехода навстречу друг другу, толщина контактного слоя и его сопротивление уменьшаются. [54]
Рассмотрим три основных состояния МОП-структуры под действием внешнего поля: обогащение поверхностного слоя, обеднение его и инверсию знака носителей. Проследим изменение емкости МОП-конденсатора для этих состояний в функции приложенного напряжения. [55]
Изменение работы выхода электронов Aw под действием внешнего поля называют эффектом Шоттки. [56]
Как было пояснено там, под действием внешнего поля растет наиболее благоприятно ориентированный домен. Поэтому направление поступательного движения вершины домена зависит от направления приложенного поля. [57]
Страницы: 1 2 3 4