Действие - внешнее поле
Cтраница 3
Эффекты поляризуемости вызываются лишь действием внешнего поля; это значит, что при химических реакциях они проявляются только в момент реакции и только в том случае, если они соответствуют электронному характеру атакующего реагента. [31]
Перераспределение свободного заряда под действием внешнего поля называется электростатической индукцией. [32]
 |
Зависимость тока от напряжения на аноде ( а и влияние внешнего поля на высоту и форму потенциального барьера на границе металл-вакуум при эффекте Шотт-ки ( б и холодной эмиссии ( б. [33] |
Понижение потенциального барьера под действием внешнего поля называется, эффектом Шоттки. [34]
 |
Схема расположения доменов в области 2 образца. [35] |
Намагничивание ферромагнитных материалов под действием внешнего поля объясняется тем, что направление полей отдельных областей ( доменов) устанавливается по направлению внешнего поля, их магнитные поля при этом суммируются. [36]
 |
Зависимость средней скорости электронов от электрического поля для арсенида галлия. [37] |
Наоборот, если под действием внешнего поля потенциальная энергия электрона возрастает, то подвижность его мала. [38]
При движении электрона под действием внешнего поля V ( r) полная энергия электрона сохраняется: Н0 const. На рис. 27 это изображается прямой, параллельной оси абсцисс. Мы видим, что электрон переходит с одного уровня зоны на другие уровни, совершая периодическое движение в кристалле. Электрон с одной и той же полной энергией Н0 const может совершать колебательное периодическое движение между точками А - В, С - D и G - К двух зон. Этот переход возможен благодаря туннельному эффекту - переход из точки К. А связан с переходом сквозь треугольный потенциальный барьер KLA. Как известно из квантовой механики, вероятность туннельного перехода связана экспоненциально с шириной и высотой потенциального барьера. [39]
 |
Зависимость величины потенциальной энергии и функции Гамильтона от координат. [40] |
При движении электрона под действием внешнего поля V ( г) полная энергия электрона сохраняется: Я0 const. На рис. 27 это изображается прямой, параллельной оси абсцисс. [41]
Таким образом, под действием достаточно сильного внешнего поля CN должен уже заметно отклоняться от значительно труднее деформируемого ОН и приобретать сходство с ионами тяжелых галоидов. Это, действительно, и сказывается на соответствующих соединениях сильно поляризующих катионов. Например, Hg ( CN) j и AgCN по свойствам стоят уже гораздо ближе к соответствующим галогенидам, чем к гидроокисям. [42]
Таким образом, под действием достаточно сильного внешнего поля CN - должен уже заметно отклоняться от значительно труднее деформируемого ОН - и приобретать сходство с ионами тяжелых галоидов. Это, действительно, и сказывается на соответствующих соединениях сильно поляризующих катионов. [43]
Для системы, не подверженной действию внешнего поля, потенциальная энергия частиц равна нулю. Такие частицы называются свободными. Для них удобно пользоваться не шестимерным фазовым пространством, а трехмерным пространством импульсов. В этом случае АГу равен просто объему V, в котором движутся частицы, поскольку никаких других ограничений на их положение не налагается. [44]
Изменение проводимости приповерхностного слоя под действием внешнего поля называют эффектом поля, а сам обогащенный слой - каналом. Поскольку канал характерен большой концентрацией электронов или дырок, можно сказать, что эффект поля в собственном полупроводнике приводит к образованию тонких искусственных слоев с проводимостью п - или р-типа. Такие искусственные слои играют важную роль в полупроводниковой технике. В частности, они находят применение в МДП транзисторах ( см. гл. [45]
Страницы: 1 2 3 4