Экранирующее действие - электрон
Cтраница 2
Для осколков деления, которые несут большое количество связанных электронов на всем своем пробеге, полный экранирующий эффект зависит, конечно, не только от присутствия электронов в атомах тормозящего вещества, но также от экранирующего действия электронов осколка, и поэтому вообще представляет сложную проблему. [16]
Несмотря на то что заряд ядра йода равен 53, что намного боль, ше, чем заряд ядра фтора, равного 9, определяющие нуклеофиль-ные свойства неподеленные пары электронов у йода находятся на большем расстоянии от ядра, и притяжение их к ядру значительно ослаблено экранирующим действием электронов внутренних оболочек. Это обусловливает большую поляризуемость внешних неподеленных пар, что облегчает взаимодействие их с атомом углерода, имеющим дефицит электронной плотности, и позволяет завязывать связь на больших межъядерных расстояниях. [17]
 |
Схема пьезополупроводнико-вого преобразователя. [18] |
В случае поверхностных волн электрон-фононное взаимодействие возникает вследствие проникания электрического поля, связанного с ультразвуковой волной, вглубь проводника. Поле затухает вследствие экранирующего действия электронов. В пограничном слое возникают круговые токи. Акустоэдс проявляется как разность потенциалов между поверхностью полупроводника и его глубинными слоями. [19]
Прежде всего энергия ионизации очень мало изменяется у переходных d - элементов. В этих случаях влияние увеличивающегося заряда ядра компенсируется экранирующим действием электронов, занимающих нижележащие уровни. [20]
В переходных рядах ионизационный потенциал изменяется очень мало, его величина лежит между 6 и 9 эв. По-видимому, это следствие наложения влияния разных факторов; в то время как размер атома остается сравнительно постоянным, влияние увеличивающегося заряда ядра компенсируются экранирующим действием электронов, добавляемых в нижележащие уровни. Как и следовало ожидать, в пределах одной группы увеличение атомного веса ведет к уменьшению ионизационного потенциала, что связано с увеличением размера атома, в то время как тип электронной конфигурации сохраняется. Это значит, что влияние увеличения заряда ядра более чем уравновешивается увеличением размера атома и наличием большего числа экранирующих электронов. Однако есть исключения для такого изменения, а именно у элементов, следующих за лантаноидами. Эти элементы имеют больший ионизационный потенциал, чем элементы этой же группы, стоящие над ними, что является следствием лантаноидного сжатия, возникающего вследствие увеличения заряда ядра, не сопровождающегося появлением более удаленных электронных уровней. Наконец, пики, наблюдаемые у цинка, кадмия и ртути, а также минимумы у галлия, индия и таллия вернее всего обусловлены устойчивостью заполненного s - подуровня и очень сильным экранированием пары s - электронов. [21]
В переходных рядах ионизационный потенциал изменяется очень мало, его величина лежит между 6 и 9 эв. По-видимому, это является следствием наложения влияния разных факторов; в то время как размер атома остается сравнительно постоянным, влияние увеличивающегося заряда ядра компенсируется экранирующим действием электронов, добавляемых в нижележащие уровни. [22]
В переходных рядах ионизационный потенциал изменяется очень мало, его величина лежит между 6 и 9 эв. По-видимому, это является следствием наложения влияния разных факторов; в тс время как размер атома остается сравнительно постоянным, влияние увеличивающегося заряда ядра компенсируется экранирующим действием электронов, добавляемых в нижележащие уровни. [23]
В переходных рядах ионизационный потенциал изменяется очень мало, его величина лежит между 6 и 9 эв. По-видимому, это является следствием наложения влияния разных факторов; в то время как размер атома остается сравнительно постоянным, влияние увеличивающегося заряда ядра компенсируется экранирующим действием электронов, добавляемых в нижележащие уровни. [24]
Действительно, первый член в выражении ( 4) для К дает энергию отталкивания протонов, второй - отталкивание электронов [ г) 2 характеризует распределение плотности электронного облака, см. Квантовая механика ], а третий и четвертый - энергии притяжения первого электрона ко второму протону и второго электрона к первому протону. Происхождение этой части энергии взаимодействия между атомами связано с волновыми свойствами электрона, к-рые вместе с требованием антисимметрии волновой функции по отношению к перестановке координат электронов, вытекающим из неразличимости частиц ( принцип Паули), приводят к тому, что в состоянии с антппа-раллельными спинами плотность электронного облака между протонами увеличивается, усиливая стягивающее, экранирующее действие электронов на протоны и, следовательно, притяжение между атомами. Наоборот, при параллельных спинах симметрия координатной функции такова, что плотность электронного облака в пространстве между протонами уменьшается, что увеличивает отталкивание между атомами. [25]
В вертикальных рядах элементов, принадлежащих к одной к той же 1рнпе, нуклеофильная реакционная способность возрас, тает с увеличением атомной массы. Так, из галогенон ( элементы VK руппы) наибольшей нуклеофилыюй силок обладает нод Несмотря на то что заряд ядра атома иода ( 53) намного больше, чем заряд ядра атома фтора ( 9), определяющие нуклео фнльные свойства неполеленные пары электронов у иода находятся на большем расстоянии от ядра, и притяжение их к ядру значительно ослаблено экранирующим действием электронов заполненных внутренних оболочек Это обусловливает большую поляризуемость внешних щ ноделенных пар, что облегчает взаимодействие их с атомом углерода, имеющим дефицит электронной плотности, и цозио. [26]
В ряде работ [1-9] основное внимание было обращено на статистический аспект проблемы, в котором важнейшей характеристикой, определяющей эффективность термической ионизации частиц, является потенциал взаимодействия эмитируемого электрона с частицей. В некоторых случаях этот потенциал может быть достаточно точно аппроксимирован обычным кулоновским потенциалом, дополненным потенциалом сил изображения. Роль экранирующего действия электронов, окружающих частицу, при этом оказывается несущественной. В работах [1-9] статистический аспект задачи рассматривается главным образом для потенциалов отмеченного типа. [27]
У атомов 3-го периода появляется третий энергетический уровень электронов. Он состоит из 3s -, Зр - и Sd-лодуровней. Влияние ядра и экранирующее действие электронов двух нижележащих слоев приводит к неравномерному расщеплению этого слоя на подуровни: 35 - и Зр-орбитали сближены, а Зс. По сравнению со 2 - м периодом 3s - и Зр-орбитали расположены ближе друг к другу, чем 2s - и 2р - арбитали. [28]
Эта формула ( получившая в дальнейшем название формулы Резерфорда) хорошо оправдывается на опыте. Отклонения от нее наблюдаются только для очень малых углов рассеяния и для углов, близких к тт. Первые соответствуют большим прицельным расстояниям и объясняются ( несколько забегая вперед) экранирующим действием электронов атома. Что же касается отклонений для углов, близких к тг ( рассеяние назад) и соответствующих малым значениям прицельного параметра, они указывают на конечные, хотя и небольшие, размеры области локализации положительного заряда атома и дают возможность оценить эти размеры. [29]
В вертикальных рядах элементов, принадлежащих к одной и той же группе, нуклеофильная реакционная способность возрастает с увеличением атомной массы. Так, из галогенов ( элементы VII группы) наибольшей нуклеофильной силой обладает иод. Несмотря на то что заряд ядра атома иода ( 53) намного больше, чем заряд ядра атома фтора ( 9), определяющие нуклео фильные свойства неподеленные пары электронов у иода находятся на большем расстоянии от ядра, и притяжение их к ядру значительно ослаблено экранирующим действием электронов заполненных внутренних оболочек. Это обусловливает большую поляризуемость внешних неиоделенных пар, что облегчает взаимодействие их с атомом углерода, имеющим дефицит электронной плотности, и позволяет образовывать связь на больших межъядерных расстояниях. [30]
Страницы: 1 2 3