Разделительная диффузия

Cтраница 1

Разделительная диффузия проводится в две стадии: первая ( загонка) - при температуре 1100 - 1150 С, вторая ( разгонка) - при температуре 1200 - 1250 С. В качестве диффузанта используется бор. В каждой изолированной области в результате последующих технологических операций формируется интегральный элемент. [1]

Недостатком метода разделительной диффузии является большая площадь изолирующих областей за счет диффузии под слой SiOg, что обусловливает большие паразитную емкость и токи утечки. [2]

Наиболее распространенным является эпитаксиально-диффу-зионный метод разделительной диффузии. Схема изготовления биполярной структуры транзистора этим методом показана на рис. 1.2. Для создания транзисторной структуры п - р - п используется подложка р-кремния. [3]

Изоляция боковых поверхностей островков осуществляется разделительной диффузией в кольцеобразное окно, окружающее островок со всех сторон Смыкаясь с р - n - переходом между элита-ксиальным слоем и подложкой, эта диффузионная область создает замкнутый со всех сторон изолирующий р - п - переход. [4]

Распределение температур перед фронтом кристаллизации чистого металла. [5]

Процесс образования и роста зародыша сопровождается разделительной диффузией в жидкой фазе ( на межфазной границе), выравнивающей диффузией в твердой фазе, а в ряде случаев и конвективными потоками в жидкости, также выравнивающими ее состав. [6]

Необходимо отметить, что при неполном прохождении разделительной диффузии в жидкой фазе в процессе кристаллизации фазовое равновесие нарушится, фазовая диаграмма уже не будет отвечать равновесному случаю ( рис. 1.65) и кристаллизующаяся фаза станет в большей степени обогащаться на начальных стадиях более тугоплавким компонентом В. Качественно результат будет тот же - наличие ликвации. [7]

Наряду с совершенствованием методов создания традиционной структуры с разделительной диффузией созданы новые структуры с изоляцией р-л-переходом. Трехдиф-фузионные структуры не удовлетворяют ряду важных требований, предъявляемых к НС памяти, и оказываются эффективными лишь для схем ТТЛ-типа. [8]

Диффузионные конденсаторы и их эквивалентные схемы.| Конденсатор структуры МДП. а - конструкция. б - эквивалентная схема. [9]

Наибольшей удельной емкостью обладает переход эмиттер - р - область разделительной диффузии, но созданный на его основе конденсатор может использоваться только как фильтровый, так как одна обкладка его заземлена. [10]

Структура планарного транзистора. а - без скрытого слоя. б - со скрытым п - слоем. [11]

Полученные области n - типа, оставшиеся в эпитакси-альном слое после разделительной диффузии, называются карманами. Такие карманы разделены ( изолированы) друг от друга р-п переходами, созданными разделительной диф - фузией. Уменьшать удельное сопротивление эпитаксиального слоя нерационально: при этом уменьшается пробивное напряжение коллекторного перехода и возрастает коллекторная емкость. Тогда коллекторный ток протекает по низкоомному п - слою и сопротивление гкк резко снижается. Во время последующей эпитаксии ( четвертая операция) донорные атомы скрытого п - слоя под действием высокой температуры диффундируют в нарастающий эпитаксиальный - слой. Для того чтобы предотвратить чрезмерное распространение доноров, могущее привести к смыканию скрытого л - слоя с р-слоем базы, выбирают для скрытого слоя диффузант с малым коэффициентом диффузии - сурьму или мышьяк. [12]

Для уменьшения токов утечки и увеличения пробивных напряжений между изолированными областями наряду с разделительной диффузией / - типа часто применяется диффузия меньшей концентрации р-тапа, с помощью которой создаются базы п-р - п транзисторов. Реализуются также р-п - р транзисторы с выводом коллектора на подложку. [13]

Таким образом, ширина границ столбчатых кристаллов зависит от степени чистоты расплава и скорости разделительной диффузии компонентов. От этих же основных факторов зависит различие состава дендритных колоний и граничных участков столбчатых кристаллов, а следовательно, и их свойств. [14]

Топологические зазоры следует оптимизировать, так как при неоправданно малых зазорах может произойти перекрытие отдельных областей, например области разделительной диффузии и базовой области транзистора, что в конечном счете приведет к технологическому браку. При малых размерах, возрастают также паразитные взаимодействия между областями отдельных элементов. В частности, может возникнуть паразитный транзистор со структурой база - коллектор - область разделительной диффузии. Коэффициент усиления по току такого паразитного латерального транзистора повышается по мере уменьшения зазора между базой транзистора и подложкой. С другой стороны, завышение топологических зазоров приводит к увеличению площади, занимаемой ИМС. [15]

Страницы: 1 2 3