Разделительная диффузия

Cтраница 3

Топологические зазоры следует оптимизировать, так как при неоправданно малых зазорах может произойти перекрытие отдельных областей, например области разделительной диффузии и базовой области транзистора, что в конечном счете приведет к технологическому браку. При малых размерах, возрастают также паразитные взаимодействия между областями отдельных элементов. В частности, может возникнуть паразитный транзистор со структурой база - коллектор - область разделительной диффузии. Коэффициент усиления по току такого паразитного латерального транзистора повышается по мере уменьшения зазора между базой транзистора и подложкой. С другой стороны, завышение топологических зазоров приводит к увеличению площади, занимаемой ИМС. [31]

Термодинамическое обоснование бездиффузионной кристаллизации заключается в следующем. В правой части рис. 1.35 показана связь между энергиями Гиббса твердой и жидкой фаз и диаграммой состояния. Видно, что кроме существования общей касательной к концентрационным зависимостям энергий Гиббса сосуществующих фаз - условие фазового равновесия в бинарной системе, имеется точка их пересечения, где энергии Гиббса фаз равны - условие фазового равновесия однокомпонентной системы или системы, где отсутствует возможность протекания разделительной диффузии. [32]

Во-вторых, касательная к энергии Гиббса ( на заданном составе смеси) отсекает на вертикальных осях, отвечающих чистым компонентам, отрезки, равные величинам их химических потенциалов при данном составе смеси. В-третьих, условия фазового равновесия (1.24) означают наличие общей касательной к сосуществующим фазам. При отсутствии разделительной диффузии количество закристаллизовавшейся твердой фазы должно быть равно количеству существовавшей до. Это соответствует правилу рычага и закону сохранения вещества. [33]

Видно, что в процессе кристаллизации происходит выклинивание кристаллов, причем в нижней части оно идет интенсивнее. Ликвация по высоте слитка кобальта, никеля и алюминия не обнаружена. В зоне слитка на расстоянии 30 - 70 мм от холодильника наблюдается снижение содержания меди, титана, серы и углерода. Распределение компонентов по высоте слитка связано со степенью прохождения разделительной диффузии, скорость которой обратно пропорциональна скорости движения фронта кристаллизации. [34]

Примесь с малым коэффициентом диффузии необходимо использовать, чтобы свести к минимуму изменение границ скрытого слоя при последующих высокотемпературных технологических операциях. После этого с поверхности полностью удаляется слой окисла и пластина очищается. Поверхность эпитаксиального слоя оксидируется. В слое окисла проводится вторая фотолитография и создаются окна для локальной разделительной диффузии. [35]

Для улучшения кристаллографического совершенства эпи-таксиалышх слоев кремния перед процессом эпитаксиального наращивания проводят ту или иную термическую обработку подложек чаще всего при температуре 1150 - 1250 С. При получении эпитаксиальных структур со скрытым слоем, легированным As, такая обработка может сопровождаться переносом примеси с поверхности сильно легированных диффузионных областей на поверхность высокоомных участков пластины. При этом может образовываться тонкий паразитный слой, что ухудшает электрофизические характеристики эпитаксиально-диффузионной структуры. Наличие паразитного слоя на границе перехода пленка - подложка может приводить к увеличению времени разделительной диффузии, к снижению пробивных напряжений изолирующих р - - переходов. [36]

Получение диэлектрической изоляции в полупроводниковых интегральных микросхемах. [37]

Первый этап изготовления микросхемы - выращивание эпитаксиального слоя толщиной 12 - М 5 мкм и окисление поверхности пластины для создания маски, необходимой для проведения процесса диффузии. Толщина окисного слоя составляет примерно 1 мкм. Окисные слои на последующих операциях получаются одновременно с диффузией, проводимой для создания изолирующих переходов. Для получения окисного слоя во время диффузии ( на определенной стадии процесса) в систему вводят кислород или пары воды. Разделительная диффузия проводится на всю глубину эпитаксиального слоя. При формировании базовых областей транзисторов создаются резистор и диод. [38]

Динамический запоминающий элемент на трех транзисторах с каналами р-типа. [39]

БИС со столь большим числом элементов необходимы для телевизионной техники. Преобразователь свет-сигнал, предназначенный для работы в европейском стандарте телевизионного вещания, должен содержать 1 5 - 10е ПЗС структур. Светочувствительный элемент образован элементом ПЗС структуры с трехшинным управлением. Расстояния между соседними затворами в элементе составляют 0 5 - 2 мкм. Для устранения возможности растекания зарядов вдоль строки отдельные элементы изолированы друг от друга канавками разделительной диффузии. В подложке с проводимостью га-типа разделительные канавки - типа выполняются методом диффузии. Малая ширина канавок достигается за счет использования технологии ионного внедрения. Вся структура матрицы разделяется канавками на отдельные столбики по числу элементов разложения вдоль строки. [40]

Для роста образовавшегося кристалла необходимо, чтобы на фронте кристаллизации постоянно поддерживалось переохлаждение. Если величина переохлаждения невелика, то устойчивым будет плоский фронт кристаллизации. Это касается затвердевания чистых металлов. В паяных же швах, как правило, происходит кристаллизация сплавов. В этих случаях необходимое для поддержания процесса роста кристаллов переохлаждение на фронте кристаллизации обусловлено возникновением так называемого концентрационного переохлаждения. При кристаллизации сплавов идет процесс перераспределения атомов для поддержания равновесных составов твердой и жидкой фаз. Этот процесс называется разделительной диффузией, он приводит к обогащению слоя расплава, прилежащего к фронту кристаллизации, компонентом, снижающим температуру расплава. Так возникает градиент концентрации этого компонента. В жидком растворе в то же время идут диффузионные процессы, направленные на выравнивание состава обогащенного слоя и более отдаленных участков. [41]

Страницы: 1 2 3