Разделительная диффузия

Cтраница 2

Формула ( 6.39 а) обычно используется для описания распределения концентраций примесей в скрытом л - слое, области разделительной диффузии, акцепторной примеси в базовом диффузионном слое ( в случае п-р-п-р вертикальной структуры транзистора), а также акцепторной примеси в слое дополнительного легирования области базы, предназначенного для обеспечения омического контакта базы с металлическим выводом. [16]

Анализируя соотношение скоростей кристаллизации и диффузии атомов растворенных элементов в твердой фазе ( выравнивающая диффузия) и в жидкой фазе ( разделительная диффузия), А. А. Бочвар пришел к выводу, что с увеличением скорости, кристаллизации степень дендритной ликвации сначала возрастает, а затем, достигнув максимума, снижается. Увеличение степени ликвации при малых скоростях кристаллизации объясняется подавлением выравнивающей диффузии в образовавшихся кристаллах в связи с быстрым снижением температуры, а. [17]

Изоляция рп-переходом ( структура со скрытым коллекторным слоем. 1 - алюминиевый электрод. 2-окисный слой. 3 - п-эпитаксиаль-ный слой. 4 - п - скрытый слой.| Изоляция рп-переходом с двусторонней диффузией. 1 - п-эпи-таксиальный слой. 2 - п - скрытый слой.| Изоляция коллекторной диффузией. 1 - р - диффузионный слой. 2 - р-эпитаксиальный слой. 3 - п - скрытый слой.| Изоляция скрытым эпитак-сиальным слоем. 1-электрод из поликремния. 2 - п - - эпитаксиальный слой. 3 - п - скрытый слой. [18]

Кроме того, в качестве разделительного слоя может применяться сам коллекторный слой при использовании эпитаксиального слоя р-ти-па ( см. рис. 5.3) - метод коллекторной разделительной диффузии. Этот метод несложен, однако при его применении важно строго контролировать толщину эпитаксиального слоя р-типа, служащего базой. [19]

На рис. 3 - 41 показаны три варианта построения диффузионных р-п переходов коллектор - база, эмиттер - база и эмиттер - р - область разделительной диффузии. [20]

Схема построения ПЗС матрицы преобразователя свет - сигнал. [21]

А-участок формирования сигналов изображения; Б - участок памяти; В - участок считывания; / - подложка; 2 - светочувствительный элемент; 3 - канавки разделительной диффузии; 4 - выходной диод; 5 - регистр считывания; а, б, в, г, д - контактные площадки регистра считывания, управления диодом и выходного видеосигнала соответствеино. [22]

Поскольку коэффициент диффузии в жидкой фазе много больше, чем в твердой при той же температуре, ввиду различия механизмов диффузии, то чаще реализуется ситуация, когда разделительная диффузия в жидкой фазе имеет место, а диффузия в твердой фазе и между фазами затруднена. [23]

Рассмотренные выше теории ( В. К. Семенченко, П. А. Ребиндера и В. И. Архарова) объясняют механизм модифицирования избирательной адсорбцией поверхностно активных добавок на гранях растущих кристаллов. В процессе разделительной диффузии вблизи фронта кристаллизации, а следовательно, и зародышеобразова-ния в переохлажденном расплаве большую роль должна играть взаимная растворимость компонентов сплава, которая определяется, в частности, размерным фактором. [24]

Видно, что с ростом давления коэффициент диффузии уменьшается. Это приводит к снижению скорости разделительной диффузии легирующих элементов в кристаллизующемся расплаве, что отражается на степени внутрикристаллической ликвации сплавов. [25]

Переохлаждение вблизи фронта кристаллизации столбчатых дендритов зависит от скорости теплоотвода. В процессе роста столбчатых кристаллов происходит разделительная диффузия у фронта кристаллизации и захват или выталкивание примесей гранями растущего кристалла. В связи с непрерывным обогащением расплава, заполняющего междендритные участки легкоплавкими компонентами, диффузионное переохлаждение перед фронтом кристаллизации боковых ветвей ( а тем более ветвей высшего порядка) возрастает, и скорость роста ветвей оказывается больше скорости роста основного ствола дендрита. Кристаллизующиеся в последнюю очередь места стыков соседних столбчатых дендритов наиболее обогащены растворимыми примесями. Выталкиваемые растущей главной осью примеси скапливаются у вершины дендрита, замедляя его рост и приводя в какой-то момент к полному прекращению роста. [26]

В этом методе ( рис. 7.1) изоляция обеспечивается с помощью обратно включенных р-п-переходов между подложкой и коллекторными областями элементов. Операция изоляции осуществляется групповым методом и реализуется проведением разделительной диффузии. [27]

Таким образом, показано, что при формировании структуры сплава А1 - Mg-Zr определенную роль играет, помимо двойного алюминида, сложный алю-минид. Результаты исследования также свидетельствуют о том, что даже при ускоренной кристаллизации в холодной изложнице скорость охлаждения все же недостаточно высока, что обусловливает возможность протекания разделительной диффузии в жидкости, приводящей к образованию первичных кристаллов AlgZr и соответственно к образованию Г - фазы по перитектической реакции. В случае применения больших скоростей охлаждения при затвердевании слитков возможно большее подавление образования первичных алюминидов. [28]

При этом методе изоляции диффузия проводится во все области подложки, кроме областей, предназначенных для компонентов. Преимущество этого метода перед методом тройной диффузии заключается в том, что области, отведенные для компонентов, сохраняют однородное удельное сопротивление. При использовании эпитаксиальных пленок разделительная диффузия проводится сквозь весь эпнтаксиальный слой. [29]

Бездиффузионная кристаллизация имеет место лишь в том случае, когда термодинамически разрешен процесс кристаллизации, но диффузия ни в одной из фаз произойти не успевает. Причины, почему ослабляется диффузия в твердой фазе и между твердой и жидкой фазами, были рассмотрены выше. Почему не успевает произойти разделительная диффузия в процессе кристаллизации. Это может быть только в том случае, когда скорость диффузии меньше скорости кристаллизации или длина диффузионного перемещения, 1D меньше размера закристаллизовавшейся за это время области. То есть при бездиффузионной кристаллизации происходит захват растворенного компонента. [30]

Страницы: 1 2 3